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VDD差不多比你上圖的VDD高一點；MOSFET開通時的電流有50A以上，時延最好不超過1ms，需要us量級的由于上面的要求，PMOS可能不太合適，內(nèi)阻大，價格貴

是你說的這種情況，隔離變壓器和自舉都無法使用。拿TLP250來說，MOS關(guān)斷時，光耦的VCC(8)-GND(5)為12V；MOS開通后光耦的GND(5)就會上浮一個電壓VDD(MOSFET的漏極電壓)，同樣光耦的VCC(8)也要同步上浮一個VDD，這種供電方式有隔離式dc/dc能滿足嗎[圖片]  

1.由于光耦輸出需要驅(qū)動功率MOSFET，這個MOSFET的驅(qū)動電壓在12~15V之間，能滿足輸出電流在幾十mA，并且輸出電壓在12~15V的驅(qū)動光耦我沒有找到，你知道哪些合適的光耦麻煩推薦下。2.由于隔離要求，上圖光耦輸出供電需要VDD通過變換得來，MOSFET導(dǎo)通后，MOSFET的柵極電壓始終要高于VDD12~15V，很麻煩。3.另外有沒有一種芯片輸入對GND為15V，輸出可以浮地輸出15V，實際上就是輸出對輸入的一個電壓搬移，

1.就是光耦自身微弱的驅(qū)動能力，只有幾十uA級別的驅(qū)動電流，驅(qū)動能力不夠。2.所以為了增大驅(qū)動電流，和隔離要求，找到了輸出具有圖騰結(jié)構(gòu)的光耦，類似3帖說的。但是由于需要浮地供電，供電問題又不知道怎么解決[圖片] 

變壓器隔離驅(qū)動用在PWM中或者說交流狀態(tài)比較合適，可這個是連續(xù)驅(qū)動的模式，沒法用變壓器吧，所以我用光耦

目前的光耦確實輸出沒有電源，所以驅(qū)動能力太弱，但這個方案也是最簡單的。應(yīng)該是在驅(qū)動后加個圖騰柱吧？這個圖騰柱怎么供電？驅(qū)動必須浮地供電。

確實這么考慮過，但tlp250的輸出如何浮地供電，當(dāng)時沒有考慮清楚，這個是需要專門的芯片嗎，能推薦一個參考電路嗎，謝謝。

圖片在這里[圖片] 

你好，你畫的圖呢？能再說的詳細(xì)一點嗎？