請(qǐng)各位大神幫忙看一下附檔中,并聯(lián)mos管Q11,Q12,Q13,Q24在INV_WD_RED與INV_WD_BLK通交流時(shí),總是有一個(gè)或多個(gè)mos管擊穿.其他全橋?qū)ΨQ處mos管均ok.
不好意思重新上傳了
我懷疑你的驅(qū)動(dòng)有問題。你這部分驅(qū)動(dòng)電路是如何的呢,還有H橋中間通交流,你是指什么呢?
這個(gè)應(yīng)該是工頻逆變輸出的部分,應(yīng)該不是輸入的吧。你是說充電的時(shí)候還是逆變的時(shí)候呢?
問下樓主,這個(gè)MOSFET的并聯(lián)電路,當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí),假設(shè)電路中瞬間大的di/dt引起的dv/dt通過miller電容引起的電荷如何泄放?
建議在每個(gè)MOSFET的G、S之間加個(gè)電阻,取值在10K-100K之間,根據(jù)具體情況選取