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14號(hào)參賽作品+higel+10票

其實(shí)，MOSFET上還是有很多參數(shù)非常有用，接下來(lái)請(qǐng)higel給大家講講動(dòng)態(tài)特性方面的參數(shù)[圖片]這些參數(shù)對(duì)于軟開(kāi)關(guān)電源參數(shù)的設(shè)計(jì)，損耗的計(jì)算，驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)都是不可或缺的期待樓主的精彩講解[圖片]

那些黑色的晶胞就是損壞點(diǎn)？但從圖片看似乎損壞的具體位置幾乎全部集中是邊緣，請(qǐng)教下其具體的原因。謝謝

溫升的測(cè)試點(diǎn)非常關(guān)鍵

10路，交叉調(diào)整率想想都是個(gè)頭疼的問(wèn)題坐看樓主怎么解決這個(gè)問(wèn)題

樓主分析的很全面，辛苦了不過(guò)對(duì)于第一點(diǎn)的的回復(fù)我認(rèn)為有值得商榷的地方。雪崩失效開(kāi)始是電壓被鉗位，接著就是電流產(chǎn)生的熱讓MOSFET抗，抗住了就不會(huì)失效，否則就掛掉了，其本質(zhì)就是超出了SOA的范疇。具體可以參照論壇里面higel的那個(gè)帖子http://www.e-ticket.cn/bbs/1508625.html以上在于個(gè)人的理解，不對(duì)請(qǐng)指教。

這個(gè)是有個(gè)換算公式的，Infineon的資料上有，我記得分享過(guò)這個(gè)資料

[圖片]l樓主辛苦了，奉上的都是干貨

此種結(jié)構(gòu)將漏極跟本體金屬結(jié)構(gòu)分開(kāi)了，在正常工作的時(shí)候會(huì)不會(huì)造成MOSFET本身的結(jié)溫更高？對(duì)于MOSFET內(nèi)部來(lái)講，因?yàn)門(mén)O-220S此種結(jié)構(gòu)的熱阻是大于傳統(tǒng)的TO-220的，但是MOSFET本身的金屬散熱片到外部的金屬散熱片之間的熱阻，TO-220S就有很大的優(yōu)勢(shì)了，但這種熱阻上的優(yōu)勢(shì)是否能抵消其內(nèi)部熱阻的劣勢(shì)？請(qǐng)Javike版主奉上測(cè)試對(duì)比數(shù)據(jù)，大家就一目了然了

[圖片][圖片][圖片]雷擊浪涌測(cè)試，因?yàn)槭菦](méi)有地線，所以決定按照2類電源來(lái)測(cè)試，只測(cè)試L-N2KV的組合波4個(gè)相角各10次很不幸的是第一個(gè)波形時(shí)刻，這個(gè)機(jī)子已經(jīng)駕鶴西去，檢查了一下，發(fā)現(xiàn)輸入保險(xiǎn)絲已經(jīng)熔斷