從DQ系列二極管的反向恢復波形可發(fā)現(xiàn),DQ二極管有更小的反向恢復電壓,同時有更長的tb,從而有更小的di/dt.在寄生電感Ls相等的情況下,要產(chǎn)生更小的Vrp.

所以在PFC電路中應用DQ二極管,就大大減少電壓尖峰出現(xiàn)的可能性,也擁有更好的EMI特性.

500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/44/1155118838.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

DQ二極管擁有卓越的雪崩耐量(Avalanche capability),使產(chǎn)品的可靠性更高.

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1200V的DQ二極管,軟恢復的優(yōu)勢更明顯.

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這個是不是碳化硅肖特基啊

如何能取得樣品?

DQ二極管不是碳硅二極管,從材質(zhì)上仍然屬于硅二極管范疇,APT公司專門針對PFC應用進行產(chǎn)品設(shè)計.

從工藝線上看DQ二極管比普通硅二極管更靠近Qrr*Vf的原點,整體性能有了較大的改善.

請問有提供樣品么??我需要耐壓600V,5A左右的二極管,恢復時間最好為35NS左右.

相關(guān)datasheet,需要樣品的朋友請發(fā)郵件給我:chen.zhu@brillianceic.com

APT8DQ60KG: 600V, 8A,TO-220
1155181273.pdf

APT15DQ60KG:600V,15A,TO-220
1155181444.pdf

APT30DQ60BG:600V,30A,T0-247
1155181547.pdf

APT60DQ60BG:600V,60A,TO-247
1155181619.pdf

APT75DQ60BG:600V,75A,TO-247
1155181894.pdf

需要樣品的朋友請發(fā)郵件給我:chen.zhu@brillianceic.com

頂一下,順便做個記號.

好東西,碳 化硅太貴,你這個應該有優(yōu)勢!

APT的東西是個好東西
路過

其實單獨要求trr指標的不是很切合實際應用的.Tj,di/dt等都會影響trr的數(shù)值.所以半導體器件的參數(shù)都是在一定的條件下才有具體的意義.

這個指標是個好東東.
雪崩耐量大的FRED,承受電路漏電感引起的電壓尖峰的能力就強,不容易被擊穿.這對許多用戶實際產(chǎn)品設(shè)計中常常發(fā)生二極管被擊穿的特別有用.

二極管反向恢復的主要指標是trr,Qrr和Irrm.其中trr衡量恢復的快慢;Qrr衡量反向恢復需要的電荷,表現(xiàn)為損耗;Irrm大小主要會影響與之配對的MOSFET/IGBT的電流應力和Eon.

從上面的波形來看,APT DQ的FRED的Qrr,Irrm明顯小.trr不是很明顯,但是對于軟恢復的FRED,這個表現(xiàn)已經(jīng)相當不錯.

軟恢復的FRED對EMI和電流/電壓的震蕩抑制非常有效.

不錯,不錯!

SiC的二極管以現(xiàn)在各個廠家的工藝和生產(chǎn)能力來看,還達不到非常高的性價比和可靠性,估計大批量應用還得4-5年.但是SiC應該是一個方向.

其實橋式電路中的反并聯(lián)二極管也可以考慮

不知道如果跟SIC的價格相比,是什么樣的狀態(tài)?

DQ 屬于硅二極管,價格和APT的普通硅二極管差不多.

和碳硅的價格相比,DQ便宜得多了.

DQ二極管在PFC電路中實測圖:
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普通二極管在PFC電路中實測圖:
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這張圖的時間軸的單位有問題,個人認為應該是S而不是uS.
E=0.5*U*I*T=0.5*130V*2A*0.0017S=221mJ

多謝flyjacket兄的提醒.
橫坐標的確應該是秒(s)而不是微秒(us).

雪崩能量額定值是器件可靠性的重要指標.二極管雪崩能量測試電路如下:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/44/1155893327.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
其中Q1為IGBT,該IGBT的擊穿電壓高于被測二極管最大反向電壓額定值.
雪崩能量計算公式如下:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/44/1155893370.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
開關(guān)過程中,電感電流和二極管兩端電壓如上面Oude所提供的雪崩能量曲線-DQ FRED Avalanche Energy所示.雪崩擊穿發(fā)生在電感電流開始下降、二極管電壓突然上升到其擊穿電壓的時刻,此時電感儲能和VDD所提供的能量將轉(zhuǎn)化為雪崩擊穿能量.因此,雪崩能量也可用下式計算:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/44/1155893405.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
Flyjacket的算法也有一定道理,因為所有能量都是由VDD提供的,從VDD的角度出發(fā),在整個測試過程中,VDD電壓始終保持不變,而VDD的電流就是電感電流,電感電流線性變化,整個測試過程中VDD所提供的能量將全部轉(zhuǎn)化為二極管雪崩時的能量.故雪崩能量也可用下式近似:
500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點擊可放大。\n按住CTRL，滾動鼠標滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/44/1155893447.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上述3種方法只是考慮的角度不同,從測試原理和能量守恒定律出發(fā),3者都是正確的.

感謝mengmeng兄的詳細詮釋.
大長知識啊.

多謝各位的捧場和支持.

收到樣品的大俠,歡迎在此交流試用心得.

現(xiàn)正需要這個,請問申請樣品要多長時間?

正需要它,給個聯(lián)系方法.

有人是否熟悉QSPEED的PFC快恢復二極管,其性能與SIC的一樣,但是價格是其一半,有興趣的朋友可以聯(lián)系13798403964,而且我們還有與APT的對比測試報告(核達)測試的.

APT的東東,頂一下