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這張圖的時(shí)間軸的單位有問(wèn)題,個(gè)人認(rèn)為應(yīng)該是S而不是uS.E=0.5*U*I*T=0.5*130V*2A*0.0017S=221mJ

其實(shí)橋式電路中的反并聯(lián)二極管也可以考慮

SiC的二極管以現(xiàn)在各個(gè)廠家的工藝和生產(chǎn)能力來(lái)看,還達(dá)不到非常高的性價(jià)比和可靠性,估計(jì)大批量應(yīng)用還得4-5年.但是SiC應(yīng)該是一個(gè)方向.

二極管反向恢復(fù)的主要指標(biāo)是trr,Qrr和Irrm.其中trr衡量恢復(fù)的快慢;Qrr衡量反向恢復(fù)需要的電荷,表現(xiàn)為損耗;Irrm大小主要會(huì)影響與之配對(duì)的MOSFET/IGBT的電流應(yīng)力和Eon.從上面的波形來(lái)看,APTDQ的FRED的Qrr,Irrm明顯小.trr不是很明顯,但是對(duì)于軟恢復(fù)的FRED,這個(gè)表現(xiàn)已經(jīng)相當(dāng)不錯(cuò).軟恢復(fù)的FRED對(duì)EMI和電流/電壓的震蕩抑制非常有效.不錯(cuò),不錯(cuò)!

這個(gè)指標(biāo)是個(gè)好東東.雪崩耐量大的FRED,承受電路漏電感引起的電壓尖峰的能力就強(qiáng),不容易被擊穿.這對(duì)許多用戶實(shí)際產(chǎn)品設(shè)計(jì)中常常發(fā)生二極管被擊穿的特別有用.

其實(shí)單獨(dú)要求trr指標(biāo)的不是很切合實(shí)際應(yīng)用的.Tj,di/dt等都會(huì)影響trr的數(shù)值.所以半導(dǎo)體器件的參數(shù)都是在一定的條件下才有具體的意義.