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【對戰(zhàn)+精英】+高壓MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓一般選擇多少伏比較合適？

高壓MOS管的驅(qū)動(dòng)電壓一般選擇多少伏比較合適？
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bkq7758
LV.4
2
2012-12-03 10:39
我一般10-12V
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2012-12-03 13:13
@bkq7758
我一般10-12V
有的說要15V？
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2012-12-03 23:53
@Constance
有的說要15V？
12-15v比較好.
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2012-12-04 09:09
@ymyangyong
12-15v比較好.
電壓越高，是不是驅(qū)動(dòng)損耗越大？
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2012-12-04 09:18
@Constance
電壓越高，是不是驅(qū)動(dòng)損耗越大？
為了確保MOS飽和導(dǎo)通，增加這點(diǎn)驅(qū)動(dòng)損耗是值得的。
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2012-12-04 09:33
@ymyangyong
為了確保MOS飽和導(dǎo)通，增加這點(diǎn)驅(qū)動(dòng)損耗是值得的。
９－１０Ｖ是不是就夠了？
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2012-12-04 10:41
@Constance
９－１０Ｖ是不是就夠了？

要根據(jù)具體MOS參數(shù)來看，比如這個(gè)圖中就略顯不夠了。

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2012-12-04 11:49
@ymyangyong
要根據(jù)具體MOS參數(shù)來看，比如這個(gè)圖中就略顯不夠了。[圖片]
好像也夠??！
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2012-12-04 14:26
@Constance
好像也夠??！
9v有點(diǎn)不夠吧。
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2012-12-04 15:26
@ymyangyong
9v有點(diǎn)不夠吧。
９Ｖ損耗更??！
0
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2012-12-04 17:10
@Constance
９Ｖ損耗更??！
9v夾在8V和10V之間，DS導(dǎo)通電阻比10v大一點(diǎn)，10v以上變化就很小了。
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2012-12-04 21:49
其實(shí)驅(qū)動(dòng)電壓跟MOSFET的Qg有很大的關(guān)系
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2012-12-04 22:42
@心中有冰
其實(shí)驅(qū)動(dòng)電壓跟MOSFET的Qg有很大的關(guān)系
什么關(guān)系呢？
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2012-12-04 23:40
@Constance
什么關(guān)系呢？
這個(gè)就好像同樣一個(gè)電壓給不同的電容充電
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2012-12-05 09:49
@心中有冰
這個(gè)就好像同樣一個(gè)電壓給不同的電容充電
這個(gè)對驅(qū)動(dòng)電阻要求不一樣吧！
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2012-12-11 13:13
@心中有冰
這個(gè)就好像同樣一個(gè)電壓給不同的電容充電
GS電容么？
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2012-12-13 23:53
頂起來！
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2012-12-15 22:00
@Constance
GS電容么？
頂起來！
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lxd626794
LV.3
20
2015-05-14 09:45
@Constance
頂起來！
沒懂
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