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IGBT和MOSFET該選哪種好？

DX們好！很多人都在說高頻的選MOSFET，低頻的用IGBT較好，我一直很模糊它們關(guān)于頻率的界線大概在哪，比如我要用在耐壓400V，電流20A，頻率50KHz的電路中應(yīng)該選IGBT好還是MOSFET好呢？
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2012-12-18 09:44

MOS可以了吧 性價比也好

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perfei
LV.4
3
2012-12-18 09:49

這個從多方面去考慮吧！

其實(shí)data里面也有的！

個人覺得一般超過30K的用MOS。（當(dāng)然也不是說不能用IGBT）

很多時候要從價格，和管子的采購多方面去考慮！

 

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2012-12-18 11:19
@MOS1552052570
MOS可以了吧性價比也好
關(guān)注
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purple337
LV.2
5
2012-12-18 12:29
@perfei
這個從多方面去考慮吧！其實(shí)data里面也有的！個人覺得一般超過30K的用MOS。（當(dāng)然也不是說不能用IGBT）很多時候要從價格，和管子的采購多方面去考慮！ 

我看過了幾種型號的IGBT的資料，，只有一種GT50J325的有明確寫工作頻率可高達(dá)50KHZ，如果不從考慮價格的話IGBT一般在大于50KHZ后是不是就沒有什么優(yōu)勢了，主要是受它的開關(guān)時間較長限制了嗎？

 

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2012-12-18 19:41
@purple337
我看過了幾種型號的IGBT的資料，，只有一種GT50J325的有明確寫工作頻率可高達(dá)50KHZ，如果不從考慮價格的話IGBT一般在大于50KHZ后是不是就沒有什么優(yōu)勢了，主要是受它的開關(guān)時間較長限制了嗎？ 

HGTG30N60比較合適。

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wzccsu
LV.1
7
2012-12-19 23:01
@purple337
我看過了幾種型號的IGBT的資料，，只有一種GT50J325的有明確寫工作頻率可高達(dá)50KHZ，如果不從考慮價格的話IGBT一般在大于50KHZ后是不是就沒有什么優(yōu)勢了，主要是受它的開關(guān)時間較長限制了嗎？ 
IGBT工作頻率跟mos比起來還是比較低的。一般20KHz對于IGBT來說就已經(jīng)算高頻了。就拿infineon igbt 第四代芯片來說，T4 E4 P4芯片，T4適合高頻工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4則幾KHz。IGBT開關(guān)頻率還是和它本身的開關(guān)損耗等有關(guān)系
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2012-12-20 11:32
@wzccsu
IGBT工作頻率跟mos比起來還是比較低的。一般20KHz對于IGBT來說就已經(jīng)算高頻了。就拿infineonigbt第四代芯片來說，T4E4P4芯片，T4適合高頻工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4則幾KHz。IGBT開關(guān)頻率還是和它本身的開關(guān)損耗等有關(guān)系
HGTG30N60做逆變電焊機(jī)我們用到65KHZ,電流100A以上。參數(shù)各位上網(wǎng)查看。IGBT與MOS管各有優(yōu)缺點(diǎn)。
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2012-12-20 14:54

按目前的情況看，這個功率段硬開關(guān)電路只有MOS……

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shvip77
LV.4
10
2012-12-21 16:24

這種參數(shù)的 選MOS管是比較合適的 因為選IGBT余量浪費(fèi)太多且價格要比MOS管貴的多！當(dāng)然IGBT也是可以用的！綜合考慮 MOS選600V -650V 700V這樣MOS管就OK啦！電流夠用就可以

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purple337
LV.2
11
2012-12-22 15:43
@shvip77
這種參數(shù)的選MOS管是比較合適的因為選IGBT余量浪費(fèi)太多且價格要比MOS管貴的多！當(dāng)然IGBT也是可以用的！綜合考慮MOS選600V-650V700V這樣MOS管就OK啦！電流夠用就可以
我用兩個40A，600V的MOS管并聯(lián)去做2000W PFC，50KHZ，電流大概20A左右，110V輸入時勉強(qiáng)只扛到1700W，那兩個MOS管太熱了，有什么辦法能讓管子別那么熱
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perfei
LV.4
12
2012-12-22 16:41
@purple337
我用兩個40A，600V的MOS管并聯(lián)去做2000WPFC，50KHZ，電流大概20A左右，110V輸入時勉強(qiáng)只扛到1700W，那兩個MOS管太熱了，有什么辦法能讓管子別那么熱

用什么管子做的？

 

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purple337
LV.2
13
2012-12-22 17:04
@perfei
用什么管子做的？ 
TK40J60
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曾廣璽
LV.2
14
2012-12-22 21:37

個人覺得一般超過30K的用MOS。（當(dāng)然也不是說不能用IGBT）

IGBT頻率上不去，20K左右

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perfei
LV.4
15
2012-12-24 13:56
@purple337
TK40J60

和你的項目驚人的相似！?。?！

目前的方案是110V要限制功率！

用TK40J60太浪費(fèi)了！

 

 

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ytwsdz
LV.7
16
2012-12-24 14:16

目前40KHZ以上選擇MOS  是正確的。

 

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2012-12-24 15:27
基本上現(xiàn)在除非超大功率的單體電源,還在用IGBT,大多數(shù)電源都用MOSFET
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2012-12-24 17:59
@wzccsu
IGBT工作頻率跟mos比起來還是比較低的。一般20KHz對于IGBT來說就已經(jīng)算高頻了。就拿infineonigbt第四代芯片來說，T4E4P4芯片，T4適合高頻工作，一般15-20KHz，E4大概10KHz左右，P4則幾KHz。IGBT開關(guān)頻率還是和它本身的開關(guān)損耗等有關(guān)系

下面是Infineon給出的資料，希望對大家有用

 

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purple337
LV.2
19
2012-12-25 12:34
@perfei
和你的項目驚人的相似?。。。∧壳暗姆桨甘?10V要限制功率！用TK40J60太浪費(fèi)了！  

是浪費(fèi)，主要是太燙了，110V輸入主要還是覺得發(fā)熱大了點(diǎn)，所以盡量用大點(diǎn)來減少發(fā)熱，本來是想通過減小驅(qū)動電阻來改善發(fā)熱的，但是電阻一減小就開關(guān)波形就會出一大一小現(xiàn)象，不知道perfei兄是用的什么參數(shù)，能分享下嗎？

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perfei
LV.4
20
2012-12-25 23:05
@purple337
是浪費(fèi)，主要是太燙了，110V輸入主要還是覺得發(fā)熱大了點(diǎn)，所以盡量用大點(diǎn)來減少發(fā)熱，本來是想通過減小驅(qū)動電阻來改善發(fā)熱的，但是電阻一減小就開關(guān)波形就會出一大一小現(xiàn)象，不知道perfei兄是用的什么參數(shù)，能分享下嗎？

我是用兩個20多A的管子弄的！

你是用什么控制芯片，

關(guān)鍵是你的散熱結(jié)構(gòu)和方法！

 

 

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purple337
LV.2
21
2012-12-26 09:27
@perfei
我是用兩個20多A的管子弄的！你是用什么控制芯片，關(guān)鍵是你的散熱結(jié)構(gòu)和方法！  

我用的IR1150.現(xiàn)在正在改散熱結(jié)構(gòu)，perfei兄你110V輸入時PFC效率大概是多少

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perfei
LV.4
22
2012-12-26 09:52
@purple337
我用的IR1150.現(xiàn)在正在改散熱結(jié)構(gòu)，perfei兄你110V輸入時PFC效率大概是多少

都是0.95以上

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2012-12-26 10:04
低頻用IGBT好，那為什么我們做ORING那里的那個開關(guān)還是用MOSFET？？
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2012-12-26 10:08
@dreamer662006
低頻用IGBT好，那為什么我們做ORING那里的那個開關(guān)還是用MOSFET？？
那是因為MOSFET的導(dǎo)通電阻可以很小,適合當(dāng)oring
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2012-12-26 10:30
@sometimes
那是因為MOSFET的導(dǎo)通電阻可以很小,適合當(dāng)oring
謝謝你的回答。這樣說來MOSFET的損耗也比IGBT小，開關(guān)速度也要比IGBT快。。那IGBT的優(yōu)勢在哪里？是價格便宜嗎？
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high_fire
LV.5
26
2012-12-26 10:37
@purple337
我用兩個40A，600V的MOS管并聯(lián)去做2000WPFC，50KHZ，電流大概20A左右，110V輸入時勉強(qiáng)只扛到1700W，那兩個MOS管太熱了，有什么辦法能讓管子別那么熱

這樣用一點(diǎn)問題都么有，你設(shè)計的問題

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purple337
LV.2
27
2012-12-27 12:45
@high_fire
這樣用一點(diǎn)問題都么有，你設(shè)計的問題
high_fire你好，我現(xiàn)在還碰到一個問題當(dāng)我220V輸入時負(fù)載拉到1700W時效率是98%的，但是輸入一降到110V的時假效率就剩91%了，還有當(dāng)我110V輸入時，負(fù)載接得越大，效率就越低，比如我在1KW時有95%以上的，當(dāng)拉到1700W時就剩91%了，這會是哪里的參數(shù)沒選好呢？
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2012-12-27 12:47
@dreamer662006
謝謝你的回答。這樣說來MOSFET的損耗也比IGBT小，開關(guān)速度也要比IGBT快。。那IGBT的優(yōu)勢在哪里？是價格便宜嗎？
IGBT適合高壓,大功率.
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2012-12-27 13:36
@sometimes
IGBT適合高壓,大功率.

拜讀

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2013-01-21 15:55
@perfei
都是0.95以上
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2013-01-21 15:56
@sometimes
基本上現(xiàn)在除非超大功率的單體電源,還在用IGBT,大多數(shù)電源都用MOSFET

謝謝,學(xué)習(xí)了,我還沒有用過IGBT

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