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開(kāi)關(guān)尖峰問(wèn)題

 

如圖，為什么線(xiàn)輸入電壓越高，開(kāi)關(guān)管導(dǎo)通時(shí)產(chǎn)生的尖峰電壓越高呢？

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2013-01-23 16:32
你這個(gè)應(yīng)該是電流波形吧
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2013-01-23 16:33
@瞌睡蟲(chóng)
你這個(gè)應(yīng)該是電流波形吧
主要是MOS管的CISS在作怪
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hd313
LV.2
4
2013-01-23 17:09

量下看是不是IC腳出來(lái)有尖峰？

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2013-01-23 17:41
@瞌睡蟲(chóng)
主要是MOS管的CISS在作怪[圖片]

這個(gè)是采樣腳的電壓波形，除以采樣電阻就是電流波形撒。。。。如果是MOS的CISS在作怪，那怎么解釋85VAC輸入時(shí)候的毛刺尖峰遠(yuǎn)小于265VAC輸入的呢？？

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2013-01-23 17:42
@hd313
量下看是不是IC腳出來(lái)有尖峰？
沒(méi)有啊，CS腳是輸入到IC里面去的，接MOS管的源極的。。。
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2013-01-24 10:26
@silverpuma
這個(gè)是采樣腳的電壓波形，除以采樣電阻就是電流波形撒。。。。如果是MOS的CISS在作怪，那怎么解釋85VAC輸入時(shí)候的毛刺尖峰遠(yuǎn)小于265VAC輸入的呢？？
你可以理解為CISS電容為DS之間的等效電容，當(dāng)G級(jí)每個(gè)周期從低電平跳轉(zhuǎn)為高電平的時(shí)候，CISS的儲(chǔ)能要通過(guò)MOS管放電，所以，在MOS管關(guān)斷的期間，加在MOS管上的電壓越高，這個(gè)CISS的儲(chǔ)能電壓也就越高，自然，放電的時(shí)候電流峰值就會(huì)越高，又因?yàn)樵贛OS管關(guān)斷的時(shí)候，其DS電壓等于VIN（DC)+折射電壓，所以，在264V的時(shí)候，VIN(DC)最大，DS電壓也就最大，CISS的放電電流峰值也就最高。
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2013-01-24 11:15
@瞌睡蟲(chóng)
你可以理解為CISS電容為DS之間的等效電容，當(dāng)G級(jí)每個(gè)周期從低電平跳轉(zhuǎn)為高電平的時(shí)候，CISS的儲(chǔ)能要通過(guò)MOS管放電，所以，在MOS管關(guān)斷的期間，加在MOS管上的電壓越高，這個(gè)CISS的儲(chǔ)能電壓也就越高，自然，放電的時(shí)候電流峰值就會(huì)越高，又因?yàn)樵贛OS管關(guān)斷的時(shí)候，其DS電壓等于VIN（DC)+折射電壓，所以，在264V的時(shí)候，VIN(DC)最大，DS電壓也就最大，CISS的放電電流峰值也就最高。
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735575630
LV.5
9
2013-01-24 13:51
@瞌睡蟲(chóng)
你可以理解為CISS電容為DS之間的等效電容，當(dāng)G級(jí)每個(gè)周期從低電平跳轉(zhuǎn)為高電平的時(shí)候，CISS的儲(chǔ)能要通過(guò)MOS管放電，所以，在MOS管關(guān)斷的期間，加在MOS管上的電壓越高，這個(gè)CISS的儲(chǔ)能電壓也就越高，自然，放電的時(shí)候電流峰值就會(huì)越高，又因?yàn)樵贛OS管關(guān)斷的時(shí)候，其DS電壓等于VIN（DC)+折射電壓，所以，在264V的時(shí)候，VIN(DC)最大，DS電壓也就最大，CISS的放電電流峰值也就最高。
Ciss（輸入電容）怎么是DS之間的等效電容呢？？DS之間的等效電容是Coss，輸出電容
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2013-01-24 16:34
@735575630
Ciss（輸入電容）怎么是DS之間的等效電容呢？？DS之間的等效電容是Coss，輸出電容
兄臺(tái)所言極是，應(yīng)該是COSS電容
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735575630
LV.5
11
2013-01-24 18:35

在DG之間加個(gè)小電容和電阻，看看能不能去掉那個(gè)T LEB 波形？？

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735575630
LV.5
12
2013-01-24 18:39
@瞌睡蟲(chóng)
你可以理解為CISS電容為DS之間的等效電容，當(dāng)G級(jí)每個(gè)周期從低電平跳轉(zhuǎn)為高電平的時(shí)候，CISS的儲(chǔ)能要通過(guò)MOS管放電，所以，在MOS管關(guān)斷的期間，加在MOS管上的電壓越高，這個(gè)CISS的儲(chǔ)能電壓也就越高，自然，放電的時(shí)候電流峰值就會(huì)越高，又因?yàn)樵贛OS管關(guān)斷的時(shí)候，其DS電壓等于VIN（DC)+折射電壓，所以，在264V的時(shí)候，VIN(DC)最大，DS電壓也就最大，CISS的放電電流峰值也就最高。
Coss放電是在mosfET開(kāi)通時(shí)放電還是有其他回路？？Coss是電阻性質(zhì)的電容，本身也是要消耗能量的
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lkl1112
LV.3
13
2013-01-24 22:47
@瞌睡蟲(chóng)
主要是MOS管的CISS在作怪[圖片]

跟變壓器的分布電容關(guān)系也很大啊，我試過(guò)只改變變壓器的繞制順序就可以控制這個(gè)電流尖峰。

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mko145
LV.8
14
2013-01-25 00:17

開(kāi)通電流尖峰由三部分組成：
(1) 變壓器初級(jí)繞組的層間電容充電電流。
(2) MOSFET漏源極電容的放電電流。
(3) 工作在CCM模式的輸出二極管的反向恢復(fù)電流。

 

（以上文字及圖摘自網(wǎng)友ADLsong的帖子）

前兩項(xiàng)很顯然和輸入電壓有關(guān) ~

 

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2013-01-25 08:11
@瞌睡蟲(chóng)
你可以理解為CISS電容為DS之間的等效電容，當(dāng)G級(jí)每個(gè)周期從低電平跳轉(zhuǎn)為高電平的時(shí)候，CISS的儲(chǔ)能要通過(guò)MOS管放電，所以，在MOS管關(guān)斷的期間，加在MOS管上的電壓越高，這個(gè)CISS的儲(chǔ)能電壓也就越高，自然，放電的時(shí)候電流峰值就會(huì)越高，又因?yàn)樵贛OS管關(guān)斷的時(shí)候，其DS電壓等于VIN（DC)+折射電壓，所以，在264V的時(shí)候，VIN(DC)最大，DS電壓也就最大，CISS的放電電流峰值也就最高。
我也碰到過(guò)這樣的波形。處理方式主要有兩種，第一改變變壓器的繞法，每層繞制都加一層膠帶，這樣可以減少變壓器的等效結(jié)電容。第二種就是加Y電容。我做過(guò)實(shí)驗(yàn)，加Y電容的效果更佳！但是我就是解釋不通為什么，兄臺(tái)能否指點(diǎn)一二？
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735575630
LV.5
16
2013-01-25 08:50
@一點(diǎn)點(diǎn)藍(lán)
我也碰到過(guò)這樣的波形。處理方式主要有兩種，第一改變變壓器的繞法，每層繞制都加一層膠帶，這樣可以減少變壓器的等效結(jié)電容。第二種就是加Y電容。我做過(guò)實(shí)驗(yàn)，加Y電容的效果更佳！但是我就是解釋不通為什么，兄臺(tái)能否指點(diǎn)一二？
是Coss和漏感產(chǎn)生了諧振？？？加Y電容，濾掉了共模信號(hào)？？
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zhxhui
LV.5
17
2013-01-25 10:20
@mko145
開(kāi)通電流尖峰由三部分組成：(1)變壓器初級(jí)繞組的層間電容充電電流。(2)MOSFET漏源極電容的放電電流。(3)工作在CCM模式的輸出二極管的反向恢復(fù)電流。[圖片] （以上文字及圖摘自網(wǎng)友ADLsong的帖子）前兩項(xiàng)很顯然和輸入電壓有關(guān)~ 

Very good

電容的儲(chǔ)能=0.5*C*U*U，所以當(dāng)然是電壓越高，尖峰越大拉

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silverpuma
LV.6
18
2013-01-25 10:44
@mko145
開(kāi)通電流尖峰由三部分組成：(1)變壓器初級(jí)繞組的層間電容充電電流。(2)MOSFET漏源極電容的放電電流。(3)工作在CCM模式的輸出二極管的反向恢復(fù)電流。[圖片] （以上文字及圖摘自網(wǎng)友ADLsong的帖子）前兩項(xiàng)很顯然和輸入電壓有關(guān)~ 

very very good！

繼續(xù)問(wèn)一下，那尖峰的持續(xù)時(shí)間和輸入電壓有關(guān)系么？和IC的驅(qū)動(dòng)能力又有關(guān)系么？

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2013-01-25 13:46
@735575630
是Coss和漏感產(chǎn)生了諧振？？？加Y電容，濾掉了共模信號(hào)？？

不相信？？？但是事實(shí)就是那樣。


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