因為我的想法是，既然漏感已經(jīng)被輸入吸收掉了，那MOS的耐壓的問題就可以解決了，隨之，功率做大應該也問題不大吧。
可以是可以的，但是要處理驅(qū)動的問題，否則容易炸機
驅(qū)動，我準備用變壓器隔離驅(qū)動的，但是害怕變壓器隔離驅(qū)動有問題。無法做到慢開快關。但是用柵極驅(qū)動芯片的話，又沒有找到相應的這個電壓平臺的芯片
雙管反激上管驅(qū)動使用變壓器驅(qū)動方案可以的
可以是可以的，上管要隔離驅(qū)動。
IR2233，耐壓1200V
