說明：條件，單極PFC電源，輸入電容為小容量薄膜電容   

 問題一：

             1、開機瞬間測試是 AC source先開，后開開關(guān)觀察此時的波形嗎？（不同的開關(guān)對MOS VDS有影響）

                  還是開關(guān)一直開著，AC source設(shè)為90度開機后，再開AC source測量此時的MOS VDS 呢？

             2、用不同功率的AC source沖擊為什么測試 MOS VDS尖峰相差很大？

    問題二：開機瞬間，此時VCC還未建立，IC未工作，MOS也未導(dǎo)通（測試此時MOS電流為零），

                 但此時MOS VDS會有一個很大的尖峰（超出VDSS max),這個電壓是否會擊穿MOS？

             （不停開關(guān)測試多臺未發(fā)現(xiàn)擊穿現(xiàn)象）