兩個問題:
1. 進入死區(qū),初級能量已經釋放完,此時次級二極管的陽極電壓和初次電壓有什么關系?
2. 次級側的漏感是如何導致二極管產生一個反壓尖峰的? (mos開通的時,次級的電流已經為0,次級漏感中儲存的能量應該已經放完)
請高手指點,謝謝!
兩個問題:
1. 進入死區(qū),初級能量已經釋放完,此時次級二極管的陽極電壓和初次電壓有什么關系?
2. 次級側的漏感是如何導致二極管產生一個反壓尖峰的? (mos開通的時,次級的電流已經為0,次級漏感中儲存的能量應該已經放完)
請高手指點,謝謝!
對,我覺得你的說法是對的
但我在想,次級側有漏感存在,在MOS關斷期間,次級側電流雖然是一直減小,但漏感是一直儲存能量的。
進入死區(qū),也就是次級電流降為零時,漏感中的能量需要釋放,但如果二極管截至,那釋放能量的路徑又是怎樣的呢?
看二極管兩端波形可以看出,在死區(qū)期間電壓是震蕩的(因為初級電壓震蕩耦合到次級),但值始終都是小于零,二極管確實是不會導通
另外:在MOS開通的一瞬間,二極管兩端出現(xiàn)一個反壓尖峰是怎么形成的? 我覺得這個尖峰體現(xiàn)的正是漏感中的能量,但為什么是這個時刻才釋放呢?不解啊