看不到啊

中國南科集團應用于開關電源高反壓(600V)功率POWER MOSFET系列
廣泛應用于開關電源,能耐600V以上沖擊電壓的功率POWER MOSFET系列產(chǎn)品過去全都是由國外進口,或是由外國提供芯片而在國內(nèi)封裝.
中國南科集團有我國華南地區(qū)唯一的6英寸芯片生產(chǎn)線,同時集團本身更擁有由芯片設計、芯片制造及芯片測試與封裝等完整的產(chǎn)業(yè)鏈,加上本集團創(chuàng)辦人旅美臺胞吳緯國博士是臺灣新竹科學園區(qū)及IC產(chǎn)業(yè)界的先驅,具有逾25年POWER MOSFET的研發(fā)及生產(chǎn)經(jīng)驗,在其親自帶領下,經(jīng)本集團近三年的不懈努力,近已成功開發(fā)并推出一系列由0.3A(11.5歐姆)至7.0A(0.95歐姆)能耐600伏高壓的功率POWER MOSFET三極管,其產(chǎn)品性能與美國FAIRCHILD及歐洲意法半導體同類型產(chǎn)品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用貼片式組裝可封裝在TO-251/252及TO-220/263等四種封裝型式內(nèi).
此系列產(chǎn)品的規(guī)格詳見如下表:
型號 耐壓 漏電   柵極漏電   內(nèi)阻  開啟電壓  VSD      可替代產(chǎn)品
(V) (600V) (<0.1μA)   (歐姆)   (V)   (V)  FAIRCHILD  意法半導體
NK1N60   600 100μA ±30V 11.5 2~5   2     FQN1N60C    STN1NK60Z
NK2N60   600 100μA ±30V 4.7 2~5   2.7 FQP2N60    STP3NK60Z
NK3N60   600 100μA ±30V 3.6 2~5   2.7 FQP3N60    STP3NK60Z
NK4N60   600 100μA ±30V 2.2 2~5   2.7 FQP4N60    STP4NK60Z
NK5N60   600 100μA ±30V 2.5 2~5   2.7 FQPF5N60C   STP4NK60Z
NK6N60   600 100μA ±30V 2 2~5   2.7 FQP6N60C    STP5NK60Z
NK7N60   600 100μA ±30V 1 2~5   2.7 FQP7N60    STP8NM60
NK8N60   600 100μA ±30V 1.2 2~5   2.7 FQP8N60C    STP8NM60
NK9N60   600 100μA ±30V 0.95 2~5   2.7    ——    STP9NK60Z
中國南科集團能耐600V高壓沖擊POWER MOSFET系列產(chǎn)品的推出,標志著我國在高壓POWER MOSFET的技術領域內(nèi)已掌握核心技術,并可完全取代進口同類型產(chǎn)品,填補了我國同
類產(chǎn)品之空白,更將對我國開關電源產(chǎn)品內(nèi)的關鍵零件的國產(chǎn)化起到一定的貢獻.

頂,全力支持!!

全力支持,
支持中國IC,中國南科同您一起努力!!

支持一下國貨!
不過,Rds還有待提高啊!
請問一下有能夠替代COOLMOS的嗎?比如47N60C3.

RDS可以根據(jù)需要來做吧,這樣也可以節(jié)省成本啊
我們不可能和人家國外做一樣的產(chǎn)品吧!!!

Rds定做,恕我無知,第一次發(fā)現(xiàn)這個也可以定做.
你可以向大部分設計師咨詢,他們基本上可以直接告訴你,Rds越小越好,只是限于理論,限于技術差距,限于加工工藝和材料限制,國內(nèi)的還有很大的一段差距.

是的,RDS是越小越好,但是成本我們也要考慮,謝謝支持,

國內(nèi) 和國外差距肯定是有的,但我們也在努力中,!!