王怡文：
中國(guó)南科集團(tuán)應(yīng)用于開關(guān)電源高反壓(600V)功率POWERMOSFET系列廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源,能耐600V以上沖擊電壓的功率POWERMOSFET系列產(chǎn)品過去全都是由國(guó)外進(jìn)口,或是由外國(guó)提供芯片而在國(guó)內(nèi)封裝.中國(guó)南科集團(tuán)有我國(guó)華南地區(qū)唯一的6英寸芯片生產(chǎn)線,同時(shí)集團(tuán)本身更擁有由芯片設(shè)計(jì)、芯片制造及芯片測(cè)試與封裝等完整的產(chǎn)業(yè)鏈,加上本集團(tuán)創(chuàng)辦人旅美臺(tái)胞吳緯國(guó)博士是臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)及IC產(chǎn)業(yè)界的先驅(qū),具有逾25年P(guān)OWERMOSFET的研發(fā)及生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),在其親自帶領(lǐng)下,經(jīng)本集團(tuán)近三年的不懈努力,近已成功開發(fā)并推出一系列由0.3A(11.5歐姆)至7.0A(0.95歐姆)能耐600伏高壓的功率POWERMOSFET三極管,其產(chǎn)品性能與美國(guó)FAIRCHILD及歐洲意法半導(dǎo)體同類型產(chǎn)品性能相同,按照功率的不同要求及是否需用貼片式組裝可封裝在TO-251/252及TO-220/263等四種封裝型式內(nèi).此系列產(chǎn)品的規(guī)格詳見如下表:型號(hào)耐壓漏電 柵極漏電 內(nèi)阻 開啟電壓 VSD 可替代產(chǎn)品(V)(600V)(