朋友好好看看ACT30的DATESHEET,此電路的控制模式是射極驅(qū)動(dòng),真正承受高壓的是三極管的CB極,你在看看13003的Vcbo是多少,我相信你會(huì)得到答案了.

你說(shuō)的射極軀動(dòng),難倒Vce之間就不用承受耐壓?jiǎn)?

開(kāi)關(guān)信號(hào)是加在射極的,你說(shuō)要承受高壓?jiǎn)?關(guān)斷的時(shí)候射極是懸空的

不是開(kāi)關(guān)信號(hào)加在射極吧,應(yīng)該是控制你們IC內(nèi)部的集成MOS.
當(dāng)開(kāi)關(guān)管(13003)導(dǎo)通時(shí),主回路的電流和電壓都是通過(guò)它的,不知道我理解的是否正確????

同意,關(guān)斷時(shí)耐壓?jiǎn)栴}容易理解,但是開(kāi)通時(shí)呢?

我來(lái)說(shuō)兩句!13003開(kāi)通時(shí)VCE電壓絕大部分轉(zhuǎn)移到NP上了!所以VCE不承受高壓!ACT30由于接在13003發(fā)射極!因?yàn)樯錁O跟隨基極電壓(VE=VB-0.7V)ACT30也不承受高壓!

你說(shuō)的 NP是指TR初級(jí)線圈嗎?
根據(jù)我實(shí)際測(cè)試,,請(qǐng)看上面的圖,為撒Vb有550V???

是初級(jí)線圈!關(guān)斷時(shí)13003的C極有550V那是正常的!但你所測(cè)得的電壓值是13003 C極與B極所承受的電壓!因?yàn)锳TC34關(guān)斷時(shí),E極類似開(kāi)路!

上面圖中有我取樣點(diǎn)標(biāo)注,  Va的值,,也就是IC內(nèi)置MOS的值約是30V,,測(cè)試應(yīng)該沒(méi)問(wèn)題

開(kāi)通時(shí)應(yīng)和普通的RCC電路承受一樣的應(yīng)力.

你再看看第9貼

開(kāi)通時(shí)管子不受電壓應(yīng)力!

內(nèi)容改了?
我的測(cè)試點(diǎn)明明就是測(cè)試Vce之間的電壓,其中包蛞了IC內(nèi)MOS的電壓,
如果E極開(kāi)路,,我能測(cè)到電壓值嗎??500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164082523.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
圖中是按照你說(shuō)的測(cè)試點(diǎn)

那我測(cè)試的550V,從何解釋?

可能是本人的表達(dá)能力太有限!這次如果樓主還不明白就不要怪本人不回貼了!500) {this.resized=true; this.width=500; this.alt='這是一張縮略圖，點(diǎn)擊可放大。\n按住CTRL，滾動(dòng)鼠標(biāo)滾輪可自由縮放';this.style.cursor='hand'}" onclick="if(!this.resized) {return true;} else {window.open('http://u.dianyuan.com/bbs/u/47/1164092260.jpg');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">

導(dǎo)通前瞬間,C極500多伏,電壓不可能突變,所以,三極管在開(kāi)通時(shí),VCE經(jīng)歷500多伏電壓的過(guò)程,對(duì)不對(duì)?

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SB

你說(shuō)VCE經(jīng)歷500多伏那是必然的!與導(dǎo)通瞬間的下降沿有關(guān),如果下降沿不夠陡!管子只存在電壓與電流迭加,造成開(kāi)關(guān)損耗!關(guān)斷時(shí)電壓從有到無(wú)是很短的!如果只算的下降到400V時(shí)的時(shí)間那更短!P秒級(jí)的!

在VCE經(jīng)歷500多伏時(shí),三極管BE結(jié)正偏,三極管耐壓應(yīng)該是VCEO,所以,存在被擊穿的危險(xiǎn),呵呵,請(qǐng)問(wèn),實(shí)際中為什么沒(méi)有損害?

頂多是一次擊穿!時(shí)間很短,沒(méi)機(jī)會(huì)產(chǎn)生二次擊穿!

呵呵,有可能是這樣.

依您之見(jiàn)呢?如有不對(duì),請(qǐng)指出!

這也是我所擔(dān)心的地方,在導(dǎo)通時(shí),開(kāi)關(guān)管開(kāi)通的時(shí)間是Ton,也許會(huì)更長(zhǎng)些.在開(kāi)通的瞬間,還會(huì)有個(gè)衝擊峰值,加起來(lái)可能會(huì)到650v,這個(gè)值足以讓13003損壞.

我有個(gè)疑問(wèn),提一下:
你用RCC作基極驅(qū)動(dòng),當(dāng)B極由負(fù)壓轉(zhuǎn)為正壓,這個(gè)過(guò)程同樣三極管VCE承受高壓,而且導(dǎo)通過(guò)程必定比射極驅(qū)動(dòng)慢,因?yàn)樯錁O驅(qū)動(dòng)B極每時(shí)刻都能提供足夠的驅(qū)動(dòng)電流飽和導(dǎo)通,那么為什么你說(shuō)RCC也不會(huì)有問(wèn)題呢?實(shí)際上,我認(rèn)為,射極驅(qū)動(dòng)導(dǎo)通更快,就算在三極管開(kāi)通瞬間,三極管也能快速導(dǎo)通到地,因此導(dǎo)通時(shí)VCE耐壓也不會(huì)有問(wèn)題!不對(duì)之處,請(qǐng)指教,謝謝!

在設(shè)計(jì)b極軀動(dòng)的rcc電路時(shí),我一般會(huì)選用Vce耐壓值為600v的13003.
按照你說(shuō)的e極軀動(dòng),導(dǎo)通時(shí)間非?？?但總流過(guò)了13003,我也實(shí)際測(cè)試了Vce和IC內(nèi)置MOS的電壓值.
的確,你們IC內(nèi)置MOS大約只有30V,但是Vce卻有550v?
可能我在頂牛角尖,我也只是希望從理論上得到一個(gè)解釋﹗

我還沒(méi)有搞清楚,不能亂說(shuō),呵呵!

目前只能說(shuō)設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)可能更安全些.
RCC用幾十年了,日本做的很好,現(xiàn)在仍有大量使用,說(shuō)明可以安全工作的.

三極管導(dǎo)通瞬間已經(jīng)把C極拉到地了,不會(huì)有什么耐壓?jiǎn)栴}!要看也只是看開(kāi)關(guān)的開(kāi)通速度了,相信射極驅(qū)動(dòng)在這方面是占有優(yōu)勢(shì)的!
三極管截止就不用講了,VCBO承受耐壓,也沒(méi)有問(wèn)題!

是的!