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電源技術(shù)綜合區(qū)
IGBT器件問題
IGBT器件問題
看了IGBT有關(guān)資料,沒有看到像mosfet那樣有通態(tài)電阻的說明,IGBT有沒有像mosfet那樣的通態(tài)電阻啊?功耗如何計算呢?
全部回復(fù)(4)
只看樓主
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現(xiàn)在還沒有回復(fù)呢,說說你的想法
求知星際
LV.6
2
2006-12-29 15:18
怎么沒有人知道嗎?
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zli
LV.7
3
2006-12-29 17:17
@求知星際
怎么沒有人知道嗎?
IGBT等效成MOS與晶體管復(fù)合,在導(dǎo)通時主要是晶體管導(dǎo)電,MOSFET作為柵極輸入,為晶體管提供基極電流,所以一般不關(guān)注其通態(tài)電阻.只關(guān)注其三極管的通態(tài)壓降.此參數(shù)決定了其通態(tài)損耗.
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求知星際
LV.6
4
2006-12-30 09:38
@zli
IGBT等效成MOS與晶體管復(fù)合,在導(dǎo)通時主要是晶體管導(dǎo)電,MOSFET作為柵極輸入,為晶體管提供基極電流,所以一般不關(guān)注其通態(tài)電阻.只關(guān)注其三極管的通態(tài)壓降.此參數(shù)決定了其通態(tài)損耗.
我知道一般通態(tài)壓降為1.5~3V之間,是不是與通態(tài)電流得乘積就是功耗啊
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zli
LV.7
5
2006-12-30 18:43
@求知星際
我知道一般通態(tài)壓降為1.5~3V之間,是不是與通態(tài)電流得乘積就是功耗啊
當(dāng)然,就是通態(tài)損耗.
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