你是如何進(jìn)行IGBT短路測試的?你沒有測一下在短路時驅(qū)動器的輸出端5腳能否觀測到約為2US,周期為1.3MS的脈沖信號呢?如果沒有,看是不是短路測試有問題,要不就是M57962本身是否壞了.

我是在實(shí)驗室中,用低壓直流電源供電,IGBT集電極接了上拉電阻.當(dāng)給電阻短路時,IGBT應(yīng)該是處于短路過流狀態(tài)的.
后來我檢查了驅(qū)動芯片,果然是芯片壞掉了.
但還有一些問題存在.我的試驗電路中沒有接穩(wěn)壓管,在短路測試時的波形中,為什么在1腳為高電平以后,要5us的時間才進(jìn)行短路保護(hù)(此時2腳沒有外接電容)?感覺這個時間很長啊?其他的5腳2us,1.3ms的信號倒是正常出現(xiàn).

你所指的1腳為高電平是多少伏電壓呢?驅(qū)動器內(nèi)部設(shè)定了一個門限電壓,和你所用的二極管壓降也有關(guān)系.

1腳的高電平在短路測試時到底是多少還真沒有測量過,但在給上拉電阻短路時,出現(xiàn)保護(hù)現(xiàn)象應(yīng)該是高電平了,根據(jù)資料上所說應(yīng)該是12伏左右吧.
另外,在實(shí)測波形中,當(dāng)給上拉電阻短路時,5us的時間里IGBT的集射極電壓上升到12伏左右后產(chǎn)生短路保護(hù),此后有振蕩電壓波形產(chǎn)生.
我用的二極管是1N4148.
但資料上說這個短路保護(hù)延遲時間大約也就應(yīng)該在2us左右,不知道是不是我的實(shí)驗電路有問題?能夠通過什么方法進(jìn)行改進(jìn)呢?
在實(shí)際電路中,二極管后面再串接一個穩(wěn)壓管是不是能夠減少驅(qū)動芯片的保護(hù)延遲時間?
謝謝!

IGBT在發(fā)生短路時其內(nèi)問等效PNP管會退出飽和區(qū),進(jìn)入放大區(qū),VCE電壓升高,通常用這個電壓值來檢測IGBT是否過流.具體的過流判定門限電壓可以用外接的二極管數(shù)量或加穩(wěn)壓管等方式來調(diào)節(jié),資料上所寫的短路保護(hù)延遲時間是指為了防止IGBT在開通初始階段由于VCE電壓下降需要時間,所以在此時間內(nèi)不能讓保護(hù)電路有效,所以驅(qū)動器內(nèi)部設(shè)計了延遲盲區(qū),大概為2.5US,與你所測到的5US不是一個概念.為了減小保護(hù)時間可以多串幾個二極管或加一個穩(wěn)壓管.其實(shí)質(zhì)也是降低測出的VCE電壓門限.

問一下你用低壓直流電源來測試IGBT短路,直流電源輸出電流有多大呢?你測試用的IGBT是多大電流,電壓的呢?

非常感謝你的指點(diǎn),讓我受益匪淺啊.
我用的直流電源,最大輸出電流是3A的.
我用IGBT測試時,用的是1200V200A的管子,但此時低壓電源總是過流保護(hù).就改用MOSFET測試,型號是IRFP460LC,得到了以上的測試結(jié)果.

你用這么小電流的電源來測試短路,當(dāng)然會保護(hù),而你用MOSFET來代替,也可能有問題,因為MOS管的短路特性與IGBT是不同的,因此出現(xiàn)你以上所說的情況也是正常的了.你可以用大一點(diǎn)電流源試一下.

向你請教一下,MOS管與IGBT的短路特性有哪些不同呢?保護(hù)的原理有什么不同?如果對MOS管保護(hù)應(yīng)該采取哪些措施呢?

MOS管一般是通過串聯(lián)電阻來檢測漏極電流的值,而不是用IGBT所用的檢測VCE欠飽和的方式.

手冊上說,芯片的負(fù)電壓推薦是-10V,最大是-15V.但實(shí)際電路中已經(jīng)有-15V的電源,又不想增加新的-10V的電源,如果直接用-15V的電源給芯片供電,不知是否可行呢?其可靠性如何呢?
或者用-15V的電源分壓獲得-10V的電源是否可行呢?
在這樣的方式下對電路的性能會產(chǎn)生什么影響呢?

-15V也是可以的,只要電壓穩(wěn)定,負(fù)壓的作用是保證可靠關(guān)斷,不受干擾影響而出現(xiàn)誤通,電壓高低對其它性能沒有影響,只是不要太高而擊穿柵源絕緣層就行.

您好！

  大哥，我現(xiàn)在正在做m57962AL的測試，我測出5腳的輸出端總是mv級的，不知道為什么，您能不能給我指點(diǎn)一下？我的qq：544171815，渴望與您取得聯(lián)系。