另一方面，其主要優(yōu)點是不存在二次損壞機制。如果嘗試用雙極型三極管來阻塞大量的功率，在任何半導體結構中的不可避免的本地缺陷將扮演聚集電流的作用，結果將局部加熱硅片。因為電阻的溫度系數是負的，本地缺陷將起到低阻電流路徑的作用，導致流入它的電流更多，自身發(fā)熱越來越多，最終出現(xiàn)不可逆轉的破壞。相比之下，MOSFET具有正的電阻熱系數。