MOSFET 內(nèi)部結(jié)構(gòu)源極和漏極對稱的，且可以互換的。只要在柵極和源極（漏極）之間加一定正
電壓（N 溝道），就能導(dǎo)通。因此MOSFET 也常用于同步整流，它能雙向?qū)娏鳌?
損耗
損耗有三個部分：導(dǎo)通損耗，柵極損耗和開關(guān)損耗。
導(dǎo)通損耗   MOSFET 完全導(dǎo)通時，漏－源之間有一個電阻R on上的損耗。應(yīng)當注意手冊上導(dǎo)通電阻
測試條件，測試時一般柵極驅(qū)動電壓為15V 。如果你的驅(qū)動電壓小于測試值，導(dǎo)通電阻應(yīng)比手冊大，
而且導(dǎo)通損耗P=R on
I
2
也加大。同時你還應(yīng)當知道導(dǎo)通電阻隨溫度上升而增加，典型為
，T －結(jié)溫。所以如果你要知道實際結(jié)溫，根據(jù)熱阻乘以損耗求得結(jié)溫，再根
據(jù)新的熱態(tài)電阻求得損耗，如此反復(fù)迭代，直到收斂為止。如果不收斂，損耗功率太大。