MOSFET 內部結構源極和漏極對稱的，且可以互換的。只要在柵極和源極（漏極）之間加一定正
電壓（N 溝道），就能導通。因此MOSFET 也常用于同步整流，它能雙向導通電流。
損耗
損耗有三個部分：導通損耗，柵極損耗和開關損耗。
導通損耗   MOSFET 完全導通時，漏－源之間有一個電阻R on上的損耗。應當注意手冊上導通電阻
測試條件，測試時一般柵極驅動電壓為15V 。如果你的驅動電壓小于測試值，導通電阻應比手冊大，
而且導通損耗P=R on
I
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也加大。同時你還應當知道導通電阻隨溫度上升而增加，典型為
，T －結溫。所以如果你要知道實際結溫，根據熱阻乘以損耗求得結溫，再根
據新的熱態(tài)電阻求得損耗，如此反復迭代，直到收斂為止。如果不收斂，損耗功率太大。