討論 BP31xx 雙繞組隔離方案

目前在使用BP32xx series IC, 發(fā)現(xiàn)BPS 很有創(chuàng)新, 把原先輔助繞組省略

還能控制電流精確度至3%, 真是牛

但依我認知, PSR 隔離方案的恒流控制不是利用輔助繞組來偵測?

有誰知道它們的恒流控制如何實現(xiàn)?

控制原理為何? 有專利書?

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stevenyeh

LV.4

2013-07-02 14:25

Who knows ? thanks you very much.

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pin0208

LV.7

2013-07-02 15:54

@stevenyeh

Whoknows? thanksyouverymuch.

其實道理很簡單，無論是輔助繞組還是初級繞組，它們的波形是一樣的，差別只是幅度大小而已。你去對比一下波形就知道了，也就是說：“能在輔助繞組采集到的信息，在初級繞組同樣有”。輔助繞組的好處是在功率較大時效率會高一點。

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stevenyeh

LV.4

2013-07-02 17:41

@pin0208

除非有限定如下:

(1) 雙繞組的圈數(shù)比, 要不然 IC 要做恒流控制機制就不好決定, 雖然只是幅度大小而已

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pin0208

LV.7

2013-07-03 10:50

@stevenyeh

除非有限定如下:(1) 雙繞組的圈數(shù)比,要不然IC要做恒流控制機制就不好決定,雖然只是幅度大小而已

因為只需要檢測過零點，用差分檢測機制就好了，與幅度無關的。只要檢測到MOS-D端電壓開始出現(xiàn)振蕩的那一時刻就好了。

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gaos233

LV.5

2013-07-03 11:04

能不能上傳規(guī)格書

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stevenyeh

LV.4

2013-07-03 11:44

@gaos233

能不能上傳規(guī)格書

BP3122_DS_Rev_1.2 規(guī)格書

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stevenyeh

LV.4

2013-07-03 13:11

@pin0208

因為只需要檢測過零點，用差分檢測機制就好了，與幅度無關的。只要檢測到MOS-D端電壓開始出現(xiàn)振蕩的那一時刻就好了。

是否有說相反? “只要檢測到MOS-D端電壓開始出現(xiàn)振蕩的那一時刻就好了。”

我認為 ”檢測MOS-D端電壓關閉后經(jīng)振蕩后那一時刻來檢測二次側LED恒流控制”

我說法對嗎?

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pin0208

LV.7

2013-07-03 14:39

@stevenyeh

是否有說相反? “只要檢測到MOS-D端電壓開始出現(xiàn)振蕩的那一時刻就好了。”我認為”檢測MOS-D端電壓關閉后經(jīng)振蕩后那一時刻來檢測二次側LED恒流控制”我說法對嗎?

應該是MOS管off以后，D端電壓開始振蕩時，說明變壓器次級電流下降到0，也就是IC測試到了變壓器次級放電時間，而輸出電流與初級峰值電流、變壓器次級放電時間存在關系，只要保持次級放電時間與周期的比值為常數(shù)，就可以得到恒定的輸出電流，實現(xiàn)方法是：恒定初級峰值電流，檢測變壓器次級放電時間，調整工作周期，使周期與變壓器次級放電時間為常數(shù)。具體可以參考FSEZ1317 的資料。

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lingxueyou0

LV.2

2013-07-03 15:27

BP32xx series IC, 沒有輔助繞組的IC 一般都是芯片內部高壓管+低壓管的驅動方式,也就是所謂的源極驅動.

1:供電時利用下管Drain上面的漏感電壓供電的.

2:采樣也是利用Drain上面的波形采樣的,Drain的波形和輔助繞組是一樣的.

3:恒流控制原理一般是將Toff時間和T成一個固定比例,初級Ipk可調.

Io= (Toff/T )*n*Ipk/2. N固定調整初級的RCS電阻就能調整輸出電流.

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stevenyeh

LV.4

2013-07-03 15:38

@lingxueyou0

BP32xxseriesIC, 沒有輔助繞組的IC 一般都是芯片內部高壓管+低壓管的驅動方式,也就是所謂的源極驅動.1:供電時利用下管Drain上面的漏感電壓供電的.2:采樣也是利用Drain上面的波形采樣的,Drain的波形和輔助繞組是一樣的.3:恒流控制原理一般是將Toff時間和T成一個固定比例,初級Ipk可調. Io=(Toff/T)*n*Ipk/2. N固定調整初級的RCS電阻就能調整輸出電流.

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