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lingxueyou1@163,com,兄弟幫我發(fā)一份謝謝！

按照BP3122的計(jì)算公式，在你需要的VO條件下，保證芯片的工作模式（BP3122是DCM模式）和芯片集成的MOS耐壓就可以了，當(dāng)然還有IC的溫度。

BP32xxseriesIC, 沒(méi)有輔助繞組的IC  一般都是芯片內(nèi)部高壓管+低壓管的驅(qū)動(dòng)方式,也就是所謂的源極驅(qū)動(dòng).1:供電時(shí)利用下管Drain上面的漏感電壓供電的.2:采樣也是利用Drain上面的波形采樣的,Drain的波形和輔助繞組是一樣的.3:恒流控制原理一般是將Toff時(shí)間和T成一個(gè)固定比例,初級(jí)Ipk可調(diào).  Io=(Toff/T)*n*Ipk/2.    N固定 調(diào)整初級(jí)的RCS電阻就能調(diào)整輸出電流. 

您好！能發(fā)一份到到我油箱嗎，謝謝！lingxueyou1@163.com

大膽猜測(cè)：VZCD4V只是在帶載的情況下限制最大的輸出電壓，由于是空載，這個(gè)時(shí)候芯片是依照托底頻率來(lái)工作的，頻率已經(jīng)是最低了，這個(gè)時(shí)候芯片沒(méi)有辦法再調(diào)整了，1/2LIpk*Ipk能量是一定的，這個(gè)時(shí)候估計(jì)加大假負(fù)載會(huì)把輸出電壓降下來(lái)，但是要犧牲效率。

上電抑制沖擊電流的，應(yīng)該在AC波形的過(guò)零點(diǎn)附近VGS的電壓比較小，MOS管的RDSon比較大，把MOS管當(dāng)電阻用，在過(guò)零以后MOS管全部導(dǎo)通不影響效率。主要就是在過(guò)零附近抑制沖擊電流。

您好 我是上海滬基照明電子有限公司  我想用DU8608 做一個(gè)80V 0.25A 和 80V 0.125A 方案  能夠有現(xiàn)成的方案資料的 能否發(fā)一份給我 盡快謝謝 急用   我的郵箱是lingxueyou1@163.com

高手們都在猶豫徘徊。

看看芯片的VDS波形，在264V輸入的情況下，因?yàn)闆](méi)有加SNUBBER吸收，是不是漏感太大造成內(nèi)部MOS管擊穿，電流過(guò)大引起前級(jí)別的M7整流管電流過(guò)大擊穿，進(jìn)而就是交流電直接加到電容兩端，引起電容擊穿。

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