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開關(guān)管d和s端并電容作用是啥

開關(guān)管d和s端并電容作用
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2014-03-21 12:59
看你是什么電路咯。一般是為了防止開關(guān)關(guān)斷時的浪涌電壓。不過這往往用RCD。如果只是并一個電容，電容選擇不好可能會產(chǎn)生諧振（僅供參考）
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2014-03-21 15:30
有的是為了EMI.
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2014-03-21 15:31
@wangjiudan
看你是什么電路咯。一般是為了防止開關(guān)關(guān)斷時的浪涌電壓。不過這往往用RCD。如果只是并一個電容，電容選擇不好可能會產(chǎn)生諧振（僅供參考）
加了這電容，MOS損耗會大些。
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2014-03-21 20:25
@wangjiudan
看你是什么電路咯。一般是為了防止開關(guān)關(guān)斷時的浪涌電壓。不過這往往用RCD。如果只是并一個電容，電容選擇不好可能會產(chǎn)生諧振（僅供參考）

可以吸收MOS Vds尖峰電壓。

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2014-03-21 20:27
@chenxiangyu1990
加了這電容，MOS損耗會大些。

開關(guān)速度變慢了。

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2014-03-21 20:28
減少漏極
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2014-03-21 20:28
@chenxiangyu1990
可以吸收MOSVds尖峰電壓。

不宜加太大。100PF左右就OK.

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2014-03-21 20:29
@chenxiangyu1990
有的是為了EMI.
減小了di/dt,EMI變好。
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singer2002
LV.7
10
2014-03-21 20:40
MOS溫度高，損耗大，吸收MOS Vds尖峰電壓，放顆小電容
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hwx-555
LV.8
11
2014-03-22 14:37
隔低開關(guān)管兩端的電壓突變，進(jìn)而改善EMI，但由于開關(guān)過種變慢了，開關(guān)損耗會增大，所以要綜合平衡使用。
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luoyan1980
LV.8
12
2014-03-23 15:16
@singer2002
MOS溫度高，損耗大，吸收MOSVds尖峰電壓，放顆小電容

適當(dāng)加一點還是可以的。

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luoyan1980
LV.8
13
2014-03-23 15:17
@hwx-555
隔低開關(guān)管兩端的電壓突變，進(jìn)而改善EMI，但由于開關(guān)過種變慢了，開關(guān)損耗會增大，所以要綜合平衡使用。
説的很對，要綜合平衡使用。
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luoyan1980
LV.8
14
2014-03-23 15:18
@山東大漢
減少漏極
降低漏極電壓。
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xunda
LV.3
15
2014-03-23 16:27
@luoyan1980
説的很對，要綜合平衡使用。
嗯！學(xué)習(xí)了。
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2014-03-23 16:33
@singer2002
MOS溫度高，損耗大，吸收MOSVds尖峰電壓，放顆小電容
Coss 電容增大，MOS溫度高，損耗大，但能吸收MOS Vds尖峰電壓，放顆小電容還是可以。
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hao2985
LV.9
17
2014-03-26 22:49
@luoyan1980
降低漏極電壓。
一般是為了防止開關(guān)關(guān)斷時的浪涌電壓
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hao2985
LV.9
18
2014-03-26 22:49
@chenxiangyu1990
有的是為了EMI.
隔低開關(guān)管兩端的電壓突變，進(jìn)而改善EMI
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hao2985
LV.9
19
2014-03-26 22:50
@wangjiudan
看你是什么電路咯。一般是為了防止開關(guān)關(guān)斷時的浪涌電壓。不過這往往用RCD。如果只是并一個電容，電容選擇不好可能會產(chǎn)生諧振（僅供參考）
Coss 電容增大，MOS溫度高，損耗大，
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山東大漢
LV.10
20
2014-03-27 00:11
寄生電容
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2014-03-27 03:56
開關(guān)管DS加電容有以下幾種作用：
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2014-03-27 03:58
@chenyingxin7610
開關(guān)管DS加電容有以下幾種作用：
1，抑制開關(guān)管Vds電壓。
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2014-03-27 03:58
@chenyingxin7610
開關(guān)管DS加電容有以下幾種作用：
2，改善EMI,特別是輻射。
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2014-03-27 03:59
@chenyingxin7610
開關(guān)管DS加電容有以下幾種作用：
3，實現(xiàn)軟開關(guān)。
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wanghaiting
LV.5
25
2014-03-27 08:25
這個電容值一般22-47PF 之間，為了過輻射的用的，加了這個電容，MOS的損耗會增加,并不是RCD
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2014-03-27 08:31
@wanghaiting
這個電容值一般22-47PF之間，為了過輻射的用的，加了這個電容，MOS的損耗會增加,并不是RCD
沒錯，這電容是過EMI測試用的，會帶來損耗，如果能從其他地方改善，最好是不加。
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jxsl
LV.3
27
2014-03-27 08:51
@chenyingxin7610
2，改善EMI,特別是輻射。
恩 知道了
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jxsl
LV.3
28
2014-03-27 08:52
@qinzutaim
沒錯，這電容是過EMI測試用的，會帶來損耗，如果能從其他地方改善，最好是不加。
哦，是這樣的啊。。。。學(xué)到了 啊
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zvszcs
LV.12
29
2014-03-27 09:12
@qinzutaim
沒錯，這電容是過EMI測試用的，會帶來損耗，如果能從其他地方改善，最好是不加。
樓上正解，對紋波也有好處
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hao2985
LV.9
30
2014-03-27 09:19
吸收MOS Vds尖峰電壓。
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飛翔2004
LV.10
31
2014-03-27 16:55
@jxsl
哦，是這樣的啊。。。。學(xué)到了啊

認(rèn)證上用的

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