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主控芯片的開關(guān)頻率高了,可以采用體積小成本低的磁芯,進(jìn)一步降低產(chǎn)品成本。

用MOSFET替代續(xù)流二極管，MOSFET的導(dǎo)通電阻通常很小，導(dǎo)通損耗也較小，因此在相同條件下，同步Buck的效率更高，更適合低輸出電壓、大電流的應(yīng)用。

低壓紋波比高壓紋波大主要是由于電源內(nèi)部電路設(shè)計、濾波效果和外部干擾等多種因素共同作用的結(jié)果。

在高壓電源中，由于輸出電壓高，通常會使用更高效的濾波電路來減小紋波。

合理布局和連接電源芯片和其他器件，減少電源線和信號線的長度和交叉，以減小干擾和紋波。

IC在適用的輸出功率范圍內(nèi)，可通過峰值電流采樣電阻設(shè)定輸出電流，以滿足不同輸出功率的需要。

無需光耦和Y電容，可省去次級反饋控制、環(huán)路補(bǔ)償，精簡電路、降低成本。

原邊控制模式低啟動電流前沿消隱逐周期限流PFM調(diào)制降峰值模式過壓保護(hù)欠壓鎖定環(huán)路開路保護(hù)最大導(dǎo)通時間保護(hù)過溫保護(hù)峰值電流補(bǔ)償

電壓?？刂品绞降娜秉c(diǎn)是環(huán)路補(bǔ)償復(fù)雜,且系統(tǒng)的瞬態(tài)響應(yīng)差。

通過在誤差放大器的補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)中增加零點(diǎn)來抵消主導(dǎo)極點(diǎn)的低頻衰減。