常溫時(shí)可以,低溫下不行,用的FQA13N80以及UC3843電路。波形上邊一個(gè)為Vds波形,下邊一個(gè)為對(duì)應(yīng)的Vgs波形,不知道為何MOSFET在電源打嗝不停重啟動(dòng)期間,沒有由截止進(jìn)入飽和?圖中為低壓100Vac下的輸入下的輕載波形。高壓下265Vac輸入時(shí),啟動(dòng)就很容易炸機(jī)了。明顯MOSFET的工作狀態(tài)異常。
為了對(duì)應(yīng)EMI,所以驅(qū)動(dòng)電阻為10+39歐;放電時(shí)反并一個(gè)1N4148在39歐上。其他基本上與普通3843無區(qū)別。
現(xiàn)在就是想分析下,MOSFET為何在高占空比下,不進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)?放電時(shí)間不足?