IGBT與MOSFET及BJT的區(qū)別
IGBT是什么？電動(dòng)機(jī)可變速驅(qū)動(dòng)裝置和電子計(jì)算機(jī)的備用電源裝置等電力變換器，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET 的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET 得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而功率MOSFET 雖然交換速度足夠快了，但是存在著不能得到高耐壓、大容量元件等的缺陷。什么是IGBT? IGBT（JEDEC 登錄名稱，絕緣柵雙極晶體管）正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的，它作為一種既有功率MOSFET 的高速交換功能又有雙極型晶體管的高電壓、大電流處理能力的新型元件，今后將有更大的發(fā)展?jié)摿ΑＴ斍榭蓞㈤單恼?/span>IGBT是什么。
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IGBT 的構(gòu)造和功率MOSFET 的對比如圖 1-1 所示。IGBT 是通過在功率MOSFET 的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，從而具有以下種種特征。
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@semicontest
IGBT的構(gòu)造和功率MOSFET的對比如圖1-1所示。IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，從而具有以下種種特征。[圖片]IGBT的理想等效電路，是對pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進(jìn)行達(dá)林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。因此，在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)，pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻，從而使pnp晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。此后，使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V時(shí)，首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài)，pnp晶體管的基極電流被切斷，從而處于斷路狀態(tài)。如上所述，IGBT和功率MOSFET一樣，通過電壓信號可以控制開通和關(guān)斷動(dòng)作。
如果以 PNP+NPN 來等效 SCR，則 IGBT 可以理解為 負(fù)載幾近短路的等效SCR，這樣的結(jié)構(gòu)就是 閂鎖效應(yīng) 的伏線。
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