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電動(dòng)機(jī)可變速驅(qū)動(dòng)裝置和電子計(jì)算機(jī)的備用電源裝置等電力變換器，隨著雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET的出現(xiàn)，已經(jīng)起了很大的變化。這些使用交換元件的各種電力變換器也隨著近年來節(jié)能、設(shè)備小型化輕量化等要求的提高而急速地發(fā)展起來。但是，電力變換器方面的需求，并沒有通過雙極型功率晶體管模塊和功率MOSFET得到完全的滿足。雙極型功率晶體管模塊雖然可以得到高耐壓、大容量的元件，但是卻有交換速度不夠快的缺陷。而功率MOSFET雖然交換速度足夠快了，但是存在著不能得到高耐壓、大容量元件等的缺陷。IGBT（JEDEC登錄名稱，絕緣柵雙極晶體管）正是作為順應(yīng)這種要求而開發(fā)的，它作為一種既有功率MOSFET的高速交換功能又有雙極型晶體管的高電壓、大電流處理能力的新型元件，今后將有更大的發(fā)展?jié)摿Α?

IGBT的構(gòu)造和功率MOSFET的對比如圖1-1所示。IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，從而具有以下種種特征。[圖片]IGBT的理想等效電路，是對pnp雙極型晶體管和功率MOSFET進(jìn)行達(dá)林頓連接后形成的單片型Bi-MOS晶體管。因此，在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)，pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻，從而使pnp晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。此后，使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V時(shí)，首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài)，pnp晶體管的基極電流被切斷，從而處于斷路狀態(tài)。如上所述，IGBT和功率MOSFET一樣，通過電壓信號(hào)可以控制開通和關(guān)斷動(dòng)作。

IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加p+層而構(gòu)成的，在門極—發(fā)射極之間外加正電壓使功率MOSFET導(dǎo)通時(shí)，pnp晶體管的基極—集電極間就連接上了低電阻，從而使pnp晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)。此后，使門極—發(fā)射極之間的電壓為0V時(shí)，首先功率MOSFET處于斷路狀態(tài)，pnp晶體管的基極電流被切斷，從而處于斷路狀態(tài)。IGBT模塊基本上以1in1、2in1、6in1、（7in1）、PIM這4種形式存在的。

驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)決定著能否充分地發(fā)揮元件的性能，這樣說并不言過其實(shí)。此外，保護(hù)電路的設(shè)計(jì)也有著密切的關(guān)系。驅(qū)動(dòng)電路由促使元件開通的正偏壓電路和穩(wěn)定地保持元件處于關(guān)斷狀態(tài)、同時(shí)加快關(guān)斷速度的反偏壓電路組成，根據(jù)各種不同條件的設(shè)定，元件的特性也發(fā)生變化。另外，驅(qū)動(dòng)電路的接線方法不同也會(huì)出現(xiàn)元件的誤動(dòng)作問題。因此，設(shè)計(jì)最適當(dāng)?shù)尿?qū)動(dòng)電路非常重要。

都是大牛啊

好文章，很詳細(xì)

愿景是美好的，但實(shí)際操作起來難度太大，試想有一天都用電動(dòng)車了，本來電網(wǎng)負(fù)荷就很大了，尤其在高峰時(shí)段，到時(shí)候大家再一起充電，電網(wǎng)直接崩潰掉。