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直流電子負載，功率MOS漏極與GND之間并大電容問題？

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原理很簡單，論壇理由很多朋友也是這么做的，當(dāng)然也有問題，功率MOS發(fā)熱很嚴重，并聯(lián)MOS并不是最好的方案，

因為電子負載是用它的線性部分，柵極電壓對應(yīng)的導(dǎo)通電流是各有差別的，而且很小的電壓差就對應(yīng)很大的導(dǎo)通電流差。

要均流好只有每個MOSFET用獨立的運放和采樣電阻。當(dāng)然學(xué)生黨只是暑假無聊自己在玩玩而已。

但遇到一個問題：

    當(dāng)上圖中“藍色字”處，即MOS的漏極與GND之間不并聯(lián)大電容的時候，遇到以下情況：不串入電流表進行標(biāo)定的時候，電流可以恒定，但一旦串入電流表，恒流值大幅度下降，電流達到一定程度開始抖動不穩(wěn)定。DA的輸入值也受到很大影響。

    但當(dāng)上樹大電容串入的時候，雖然DA與預(yù)定值有一定的差值，但相差幅度很小，電流值可以穩(wěn)定。

    這里就是想問下，為什么加個大電容就能夠穩(wěn)定恒流值，且不受到電流表串入時候的影響。

    以下為實物圖片：（注意大電容）

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2014-06-27 09:43
最好是在輸入端并大電容。393換成358，再加RC補償。
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REN電
LV.2
3
2014-06-27 10:31
@ymyangyong
最好是在輸入端并大電容。393換成358，再加RC補償。
恩恩，其實我用的就是358，還有個問題就是電流表串入位置不同，恒定電流值不同？如下圖等效電路所示，難道是等效阻抗的問題，這是我現(xiàn)在唯一想到的答案了，因為過S極電流恒定。還有如何RC補償，感覺還是摸不透具體的原理，望賜教。

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2014-06-27 10:42
@REN電
恩恩，其實我用的就是358，還有個問題就是電流表串入位置不同，恒定電流值不同？如下圖等效電路所示，難道是等效阻抗的問題，這是我現(xiàn)在唯一想到的答案了，因為過S極電流恒定。還有如何RC補償，感覺還是摸不透具體的原理，望賜教。[圖片]
做好后應(yīng)該不會出現(xiàn)你所說的現(xiàn)象。RC補償是指在358的輸出和反相輸入端間加串聯(lián)的R+C做補償，先試試10k+0.1u。
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lymex
LV.5
5
2014-06-27 11:18
電路上Q1和Q2的接法正確嗎？源和漏。
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REN電
LV.2
6
2014-06-27 11:42
@lymex
電路上Q1和Q2的接法正確嗎？源和漏。
正確，可以橫流。
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yhtfeel
LV.7
7
2014-06-27 14:03
正向端和反向端加點高頻電容，100pF左右的，電流取樣回來的線路上加個1000Ω電阻，負反饋RC加100Ω電阻和100nF電容，就差不多了！  加上大電容，母線上電壓就比較平穩(wěn)了，你的電阻負載不容易拉低母線電壓！
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REN電
LV.2
8
2014-06-27 17:49
@yhtfeel
正向端和反向端加點高頻電容，100pF左右的，電流取樣回來的線路上加個1000Ω電阻，負反饋RC加100Ω電阻和100nF電容，就差不多了！ 加上大電容，母線上電壓就比較平穩(wěn)了，你的電阻負載不容易拉低母線電壓！

這里過運放比較的原理感覺沒有單純比較器那么簡單，實際情況下這個電路已經(jīng)存在負反饋。

我是這樣理解的，不知道正確與否：

為了恒定母線的電流，實際情況下MOS管的S級電壓值是存在一定的波動的

（DA調(diào)節(jié)范圍0~0.2 V）。而LM358是一個運放，其擺率SR值并不大，瞬時變化時候，其在電壓調(diào)節(jié)過程中是一個動態(tài)的變化過程，即358的輸出還未達到輸出門限，就已經(jīng)被拉回，用示波器表頭測試過MOS管的G級電壓值，為2~3V左右的穩(wěn)定值，不知道這樣的理解正確與否？

至于樓上所說加入R，C負反饋，是加強反饋調(diào)節(jié)的作用吧。而加入1000Ω，防止灌電流過大，。至于大電容的作用，小弟還不甚明了？因為實測值中，就如上面的手寫稿所示，電流表串在不同位置，恒定值差異甚大。想弄清楚原理，耗費兩天時間測試三塊這樣的板子，確實有些蛋痛，望不吝賜教！

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yhtfeel
LV.7
9
2014-06-27 22:04
@REN電
這里過運放比較的原理感覺沒有單純比較器那么簡單，實際情況下這個電路已經(jīng)存在負反饋。我是這樣理解的，不知道正確與否：為了恒定母線的電流，實際情況下MOS管的S級電壓值是存在一定的波動的（DA調(diào)節(jié)范圍0~0.2 V）。而LM358是一個運放，其擺率SR值并不大，瞬時變化時候，其在電壓調(diào)節(jié)過程中是一個動態(tài)的變化過程，即358的輸出還未達到輸出門限，就已經(jīng)被拉回，用示波器表頭測試過MOS管的G級電壓值，為2~3V左右的穩(wěn)定值，不知道這樣的理解正確與否？至于樓上所說加入R，C負反饋，是加強反饋調(diào)節(jié)的作用吧。而加入1000Ω，防止灌電流過大，。至于大電容的作用，小弟還不甚明了？因為實測值中，就如上面的手寫稿所示，電流表串在不同位置，恒定值差異甚大。想弄清楚原理，耗費兩天時間測試三塊這樣的板子，確實有些蛋痛，望不吝賜教！
加入RC是為了補償環(huán)路，是系統(tǒng)更穩(wěn)定！按照理論，無論你在哪個位置加電流表，結(jié)果都應(yīng)該是你的設(shè)定值！你現(xiàn)在的電路很不穩(wěn)定，很容易引入干擾！現(xiàn)實電路和課本上還是有差距的
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