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為什么GaN MOSFET耐壓做不到1000V以上，而SiC可以？

為什么GaN耐壓做不到1000V以上，而SiC可以？
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LWP1994
LV.1
2
2018-07-26 20:58
目前GaN器件的結(jié)構(gòu)主要是橫向結(jié)構(gòu)，橫向結(jié)構(gòu)電壓很難做上去。
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2018-10-26 14:22
記得sic器件的結(jié)構(gòu)主要是縱向結(jié)構(gòu)，外延層厚度1微米對(duì)應(yīng)100V的電壓
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