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3842的振蕩器參數(shù)

DATASHEET中有2個(gè)時(shí)序圖,一個(gè)是大RT小CT,一個(gè)是小RT大CT.我個(gè)人感覺是小CT大RT好,因?yàn)檫@樣占空比能限制不超過50%.否則會產(chǎn)生分諧波振蕩.大家是怎么選擇的啊?
我第一次做45W的21V-2A和5V-0.5A電源,我選50KHz好,還是100KHz好?另外電流檢測電阻RS要選無感的,但選多大合適呢?
請大家指教~~:)
全部回復(fù)(17)
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czhlcai
LV.3
2
2007-03-27 09:58
大家做電路難道不設(shè)計(jì)元器件參數(shù)嗎?
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hutushen
LV.4
3
2007-03-27 10:06
看你有沒有體積限制,頻率高,變壓器小,電感小,但效率低,頻率低,相反
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2007-03-27 14:49
@hutushen
看你有沒有體積限制,頻率高,變壓器小,電感小,但效率低,頻率低,相反
我個(gè)人認(rèn)為,頻率低一點(diǎn)好,對輸出元件和開關(guān)的要求好選擇一點(diǎn),損耗也比較小.
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zkybuaa
LV.5
5
2007-03-27 20:41
一般情況下,Rt選擇5K左右,Ct選擇2200p左右,
反激嗎?100K好了阿
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zkybuaa
LV.5
6
2007-03-27 20:46
@未來世界
我個(gè)人認(rèn)為,頻率低一點(diǎn)好,對輸出元件和開關(guān)的要求好選擇一點(diǎn),損耗也比較小.
不懂你的說法.
頻率高低,和輸出元件和開關(guān)選擇有什么關(guān)系?
現(xiàn)在一般的mos管一般都是幾百K的開關(guān)頻率阿.
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2007-03-27 23:33
@zkybuaa
一般情況下,Rt選擇5K左右,Ct選擇2200p左右,反激嗎?100K好了阿
那么高的頻率,你的MOS管的溫度會很高,可能會燒掉
而且你的EMI怎么過??
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zkybuaa
LV.5
8
2007-03-27 23:48
@心中有冰
那么高的頻率,你的MOS管的溫度會很高,可能會燒掉而且你的EMI怎么過??
不會加散熱片嗎?
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2007-03-28 23:22
反激式選:50KHz左右頻率較好.如選100KHz,加載時(shí)功耗會增加,效率變低.
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wbz705
LV.4
10
2007-03-29 00:36
恰恰相反,在CT一定的情況下RT越大最大占空比就越大,如果你不想讓占空比超過50%,可以選擇3843.
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wayliuli
LV.4
11
2007-03-29 17:01
**此帖已被管理員刪除**
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wbz705
LV.4
12
2007-03-29 21:05
@wayliuli
**此帖已被管理員刪除**
請給出網(wǎng)址以便訪問!謝謝
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2007-03-30 21:52
@wbz705
恰恰相反,在CT一定的情況下RT越大最大占空比就越大,如果你不想讓占空比超過50%,可以選擇3843.
樓上記錯(cuò)了,X844/5最大占空比是:50%,即不會超過:50%.X842/3最大占空比是:100%.
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2007-03-31 00:15
@高加權(quán)
反激式選:50KHz左右頻率較好.如選100KHz,加載時(shí)功耗會增加,效率變低.
弱問一句:為什么開關(guān)頻率越高效率就會越低啊?
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2007-03-31 23:02
@反激電源
弱問一句:為什么開關(guān)頻率越高效率就會越低啊?
硬開關(guān)電路中,開關(guān)頻率越高,開關(guān)(MOS管)開通損耗,關(guān)斷損耗和門極驅(qū)動(dòng)損耗(包括軟開關(guān)在內(nèi))也越大,相應(yīng)效率也就越低.
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2007-04-01 00:06
@高加權(quán)
硬開關(guān)電路中,開關(guān)頻率越高,開關(guān)(MOS管)開通損耗,關(guān)斷損耗和門極驅(qū)動(dòng)損耗(包括軟開關(guān)在內(nèi))也越大,相應(yīng)效率也就越低.
謝謝解答!
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wbz705
LV.4
17
2007-04-08 03:39
@高加權(quán)
樓上記錯(cuò)了,X844/5最大占空比是:50%,即不會超過:50%.X842/3最大占空比是:100%.
謝謝指正
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xdwu
LV.2
18
2007-06-05 15:15
@czhlcai
大家做電路難道不設(shè)計(jì)元器件參數(shù)嗎?
RT/CT腳對電流檢測腳接一個(gè)471電容是什么意思．知道嗎?
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