工作后就沒(méi)有發(fā)過(guò)帖了，這次電源網(wǎng)的比賽實(shí)在不容錯(cuò)過(guò)，于是，籌劃了近一個(gè)月，趁周末，把方案定了，原理圖、PCB也就水到渠成。
閑話(huà)不多說(shuō)，如題，這次打算做個(gè)超小體積的筆記本電腦適配器，規(guī)格如下
1. 輸入范圍：90~265VAC/47~63Hz
2. 輸出電壓：19VDC/3.42A
3. 滿(mǎn)載目標(biāo)效率：>94%（輸入220V）
>92%（輸入110V）
4. PCB體積：<=100*25*25mm
樣品圖直接放到一帖了：
看看這個(gè)體積
兩個(gè)光耦自動(dòng)生成標(biāo)號(hào)的時(shí)候，part對(duì)應(yīng)錯(cuò)了。。。
和同規(guī)格常用適配器對(duì)比
整體方案：QR反激+SR
1. PWM控制IC：NCP1339HDR2GSR
2. 控制IC： NCP4305D（感謝ON-Semi伍工提供的樣片）
3. 功率GaN管：TPH3002LD
4. 變壓器：PQ2020
5. SR功率管：待定
要做小體積，開(kāi)關(guān)頻率需要提上去是必然的，那么效率就成問(wèn)題。QR的方案，高低壓輸入下，滿(mǎn)載開(kāi)關(guān)頻率接近低壓輸入下的3倍。在之前的一些嘗試中我試過(guò)，90V輸入下頻率做到三十多KHz，220V輸入下頻率控制在100KHz附近，這樣用Cool-Mos+PQ2620的變壓器，220V輸入下的滿(mǎn)載效率做到94%沒(méi)有問(wèn)題。然而，體積縮小到要用PQ2020的變壓器，頻率要再提高接近一倍，硅MOS的效率就不行了，這次用到了GaN管。
GaN屬于寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率遠(yuǎn)比硅快。由于GaN是常開(kāi)的，這次用GaN功率管實(shí)際是一個(gè)低壓MOS和一個(gè)GaN串聯(lián)的結(jié)構(gòu)，實(shí)測(cè)過(guò)，相同Rdson的GaN管和Cool-Mos， 在相同驅(qū)動(dòng)電路下，前者的驅(qū)動(dòng)上升時(shí)間僅20nS左右，看不到明顯的米勒平臺(tái)，而后者的驅(qū)動(dòng)上升時(shí)間超過(guò)100ns。
功率管有了，控制IC也是非常難找。一般的QR，出于EMI考慮，通常會(huì)將頻率限制在150K以下，在這里，我需要將頻率跑上去，不能用。有人問(wèn)，為什么一定要QR？很簡(jiǎn)單，為了次級(jí)同步整流方便，CCM的SR做起來(lái)會(huì)比較麻煩。所以，我需要的IC必須還有這些特點(diǎn)：
1. 最高工作頻率最少允許到200KHz
2. 低待機(jī)功耗（<100mW），也就意味著必須內(nèi)置HV啟動(dòng)
3. 盡可能低一點(diǎn)的CS過(guò)流點(diǎn)（為低壓輸入下?tīng)?zhēng)取一點(diǎn)效率）
4. CS過(guò)流點(diǎn)隨輸入電壓升高而降低，即需要在高低壓下有一致性較好的限功率點(diǎn)
最后翻遍T(mén)I、ST、Fairchild、On-Semi、MPS......最后找到了這顆滿(mǎn)足了我所有需求的IC，NCP1339H。唯一的遺憾是，Pin腳有點(diǎn)多，外圍稍顯復(fù)雜。
幫頂帖
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樓主這個(gè)機(jī)機(jī)做得很經(jīng)典！學(xué)習(xí)了。
就是這顆，不過(guò)用的貼片，power8*8
