超結(jié)MOSFET應(yīng)用手冊(cè)
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@王成美業(yè)
超結(jié)MOSFET的特點(diǎn)1.極低的傳導(dǎo)損耗2.極大的電流能力3.極低的柵極電荷Qg4.低的開(kāi)啟電壓5.極快的開(kāi)關(guān)速度6.出色的UIS能力7.百分百的雪崩能量擊穿測(cè)試正是由于它的這么多優(yōu)點(diǎn),超結(jié)MOSFET已經(jīng)開(kāi)始被廣大用戶(hù)所接受。
學(xué)習(xí)了 原來(lái)有這么多優(yōu)點(diǎn) 有人說(shuō)超結(jié)mos管的EMI比較差,不知道影響嚴(yán)不嚴(yán)重
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