昂貴的CM400HA-24H至少也得上百元，如果買回來的這寶貝是壞的，既浪費金錢又浪費時間，哥們用IGBT1200A測試儀測試一下Vce-Ic的曲線，下面是參考datasheet中的曲線參數(shù)。
測試的曲線是下面的圖。
我只測試了這一組數(shù)據(jù)，就算是偷懶吧，觀察曲線變化，對比芯片手冊上的圖，大家也知道，這就能用了！開心使用中。
IGBT的Vce-Ic的測試曲線與datasheet比較，放心使用昂貴的IGBT
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@xyx11
令：VS=0, VGS=0 用恒流源對D充電，用示波器看充電曲線根據(jù)曲線，可計算COSS
其實，這樣測電容是不準確的，因為，管子沒有開關(guān)的狀態(tài)這個電容是非常小的，但在開關(guān)的狀態(tài)的實際電容就非常大了，好慘陡然增大了，在同步整流可以看到，同時有二極管，如果輸出同步開關(guān)管不工作時好像與二極管整流的電流波形一樣，一旦開關(guān)了，陡然電流波形不大一樣，就是陡然電容增大了，所以，實際開關(guān)狀態(tài)的電容是比較大的，不開關(guān)時就非常小了。這個電容大了會產(chǎn)生一定的反向電流，llc在低于諧振頻率之下就看得非常明顯了，就是結(jié)電容作怪了，等于高于諧振頻率是在大電流關(guān)斷的，勵磁的能量非常大，遠遠高于開關(guān)管結(jié)電容了，這個就難以明顯的看到了，但勵磁電流小了一些時看得比較清楚了，如果沒有開關(guān)只是并聯(lián)，二極管波形是一樣的，一旦開關(guān)就不一樣了，明顯電容增大了。我是發(fā)現(xiàn)了這個問題的，所以，搞同步整流的頻率不可以太高，要低一些，如果是輸出整流管肖特基，那么頻率可以非常高的，就是肖特基內(nèi)部電容非常小，使用頻率可以非常高的。
二極管有導(dǎo)通關(guān)斷存在反向的恢復(fù)時間，三極管與二極管相當，存在開關(guān)情況也好像存在反向恢復(fù)時間一樣，不會立即關(guān)斷的，存在一定的存儲效應(yīng)延時關(guān)斷一樣。
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@zhangyiping
其實，這樣測電容是不準確的，因為，管子沒有開關(guān)的狀態(tài)這個電容是非常小的，但在開關(guān)的狀態(tài)的實際電容就非常大了，好慘陡然增大了，在同步整流可以看到，同時有二極管，如果輸出同步開關(guān)管不工作時好像與二極管整流的電流波形一樣，一旦開關(guān)了，陡然電流波形不大一樣，就是陡然電容增大了，所以，實際開關(guān)狀態(tài)的電容是比較大的，不開關(guān)時就非常小了。這個電容大了會產(chǎn)生一定的反向電流，llc在低于諧振頻率之下就看得非常明顯了，就是結(jié)電容作怪了，等于高于諧振頻率是在大電流關(guān)斷的，勵磁的能量非常大，遠遠高于開關(guān)管結(jié)電容了，這個就難以明顯的看到了，但勵磁電流小了一些時看得比較清楚了，如果沒有開關(guān)只是并聯(lián)，二極管波形是一樣的，一旦開關(guān)就不一樣了，明顯電容增大了。我是發(fā)現(xiàn)了這個問題的，所以，搞同步整流的頻率不可以太高，要低一些，如果是輸出整流管肖特基，那么頻率可以非常高的，就是肖特基內(nèi)部電容非常小，使用頻率可以非常高的。 二極管有導(dǎo)通關(guān)斷存在反向的恢復(fù)時間，三極管與二極管相當，存在開關(guān)情況也好像存在反向恢復(fù)時間一樣，不會立即關(guān)斷的，存在一定的存儲效應(yīng)延時關(guān)斷一樣。
電容是變化的
電壓越低，電容越大，
充電曲線，有點像拋物線，反應(yīng)的就是動態(tài)特性
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