所謂的發(fā)熱嚴(yán)重是多嚴(yán)重，MOS管的溫度是多少？

從波形看，10uS的周期，就是開關(guān)頻率大概是100KHz，占空比小了，一般BOOST都70%的占空比，

知道為什么會(huì)發(fā)熱嗎這個(gè)其實(shí) 是非常簡(jiǎn)單的道理，只要一說也許就恍然大悟了，60安650伏的開關(guān)管的由于大電流高電壓的開關(guān)管，這個(gè)結(jié)電容是非常大的，而且頻率100千赫，電壓有400多伏，那么，這個(gè)開關(guān)管存在電容的損耗就是P=CUUF,不要說3安，就是1安的損耗也非常大，溫度高了，這個(gè)其實(shí)是無法克服的，所以，為了減小這個(gè)大開關(guān)管的姐電容存在的損耗，就是采用軟開關(guān)，兩個(gè)工作，一個(gè)高電壓小電流，存在的結(jié)電容就比較小了，其實(shí)，這個(gè)就是大管子的結(jié)電容用一個(gè)電感器儲(chǔ)能，就是那里電容轉(zhuǎn)到了電感上了，小管子先開通，大管子后開通，這個(gè)是輔助電感器的能量與大開關(guān)管的導(dǎo)通的能量一起釋放輸出了，可以減小損耗了。否則，開關(guān)管的損耗非常大，產(chǎn)生嚴(yán)重的發(fā)熱，只要開關(guān)，哪怕輸出電流再小，也損耗是非常大的。

    其實(shí)，在我的新一代軟性開關(guān)電源變換技術(shù)專題討論里的中間位置就重點(diǎn)討論了這個(gè)技術(shù)話題了，就是損耗非常大，我的是三相電升壓到650伏，采用27N80，發(fā)熱不得了了，所以采用了軟開關(guān)改進(jìn)電路了，其實(shí)，在單相電升壓到400伏直流還是采用20安500伏的開關(guān)管，這個(gè)結(jié)電容不是非常大，然而還是存在一定的損耗的，頻率還是選擇60千赫，三相電也是升壓采用60千赫，你這里采用100千赫，頻率非常高，所以損耗確實(shí)非常大，發(fā)熱嚴(yán)重了，就這樣。

分析了下你的波形，PWM已關(guān)斷，但是DS電壓還沒有回去，中間有個(gè)時(shí)間比較長(zhǎng)，等于開關(guān)損耗很大。

1、增加一個(gè)關(guān)斷放點(diǎn)的電路，給MOSFET加速關(guān)斷，PNP管做的。（單次損耗降低）

2、降低開關(guān)頻率。（總損耗降低）（軟開關(guān)100k是沒有問題的）

3、如果不是很必要用到60A的管子，可以換小到40A左右試試。

其實(shí)，適當(dāng)?shù)谋容^快的關(guān)斷確實(shí)可以減小一點(diǎn)損耗，但問題是，只要一定限度了再快也是一樣了，存在存儲(chǔ)延時(shí)關(guān)斷，不是快關(guān)斷也一樣快了，存在電流下降的曲線，再快也快不了了，那么，才3安電流是非常小的，這個(gè)關(guān)斷的損耗就是非常小的，不存在關(guān)斷損耗大的問題，就是結(jié)電容損耗引起的，我說了，就是輸出1安的電流，幾乎是完全沒有關(guān)斷損耗，可以是0 了，還是損耗大發(fā)熱嚴(yán)重了，沒有區(qū)別，如果把開關(guān)管的電流選擇小的就是結(jié)電容也小了，那么，損耗也小了，還有，頻率低了一些的損耗也小了，所以，上面的公式就是三個(gè)要素決定的，就是結(jié)電容，電壓的平方，頻率三者乘積，所以，推廣軟開關(guān)才是減小損耗的辦法了，就是大管子的結(jié)電容變成了能量回饋輸出的能量，小管子的結(jié)電容小了，損耗也小了，當(dāng)然，小管子高電壓的其實(shí)也還是存在一定的損耗 的，沒有兩全其美了，目前是沒有辦法可以完美解決的完全0電壓的軟開關(guān)，即0電壓導(dǎo)通就不存在這個(gè)問題了，但現(xiàn)在做不到，所以，產(chǎn)業(yè)一點(diǎn)改進(jìn)的辦法，沒有完美的措施。

    如果單管就是現(xiàn)在容量小一點(diǎn)的，頻率低一些的，但問題又是什么呢，要知道，管子越大內(nèi)阻越小，損耗也小了，現(xiàn)在小一點(diǎn)電流的損耗在輸出功率大時(shí)，內(nèi)阻小的損耗也小了，所以，又選擇大電流的損耗減小可是事實(shí)的呀，功率小的選擇小的管子，功率大的選擇大的管子，這個(gè)就是這樣的選擇了，那么，存在的結(jié)電容的損耗是客觀存在的，沒有辦法可以去除的，違背不了的管子參數(shù)的規(guī)律了，選擇低一些的頻率損耗隨比例的降低，但電感器就比較大了，所以，一般選擇50千赫就可以了，沒有必要選擇100千赫的頻率，這個(gè)頻率偏高了，結(jié)電容大了，關(guān)斷損耗也大了，50千赫是100千赫的一半損耗也是一半了，就是這樣的。

http://www.e-ticket.cn/bbs/1509303.html?r=MzUxMjU=

參考這個(gè)帖子里面的第10樓。

其實(shí)，BOOT軟開關(guān)在UC3855，pfc就有介紹這個(gè)電路，但這個(gè)電路存在錯(cuò)誤，正確的就是采用我的技術(shù)原理，在我的論壇里的中間位置就有介紹這個(gè)軟開關(guān)的電路，是可以參考的，我的論壇就是【新一代軟性開關(guān)電源變換技術(shù)專題討論】，里面有比較詳細(xì)的介紹，不過，那個(gè)是三相電電壓太高了，為什么一定要采用呢，就是升壓到650伏的電壓非常高，而且，27N60的管子的結(jié)電容因?yàn)殡娏鞔蟮慕Y(jié)電容也是非常大的，這樣造成的損耗也是非常高的，所以才采用了軟開關(guān)電路，就是大管是完全大管輸出能量，小管子就是先導(dǎo)通2微妙，把大管的結(jié)電容當(dāng)成了能量?jī)?chǔ)存到輔助小電感又是變壓器，通通過副邊繞組反饋到輸出端了，這樣是完全可以形成電感器了，否則，介紹的3855的其實(shí)那個(gè)電路存在一定的錯(cuò)誤，我改進(jìn)的電路才是完全正確的。

樓主，給你個(gè)參考意見，僅供參考。

我覺得是MOS管開關(guān)損耗引起的發(fā)熱，并不是導(dǎo)通損耗。

根據(jù)你提供的波形來看，其中開通損耗比關(guān)斷損耗要大。

1、先從MOS管的驅(qū)動(dòng)波形來看，開通上升沿波形出現(xiàn)震蕩，這個(gè)震蕩會(huì)增加MOS管的開通損耗，所以可以優(yōu)化電路參數(shù)來減小或者避免這個(gè)震蕩。

通常的做法，增大MOS管驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)能力或者減小柵極限流電阻阻值；縮短?hào)艠O驅(qū)動(dòng)走線，優(yōu)化走線路徑。

2、MOS管的關(guān)斷下降沿波形也出現(xiàn)了明顯的震蕩，這個(gè)震蕩同樣會(huì)增大MOS管的損耗，常見的就是MOS管VDS電壓出現(xiàn)尖峰，需要優(yōu)化MOS管關(guān)斷電路。

通常的做法，在MOS管的G、S之間反接一個(gè)PNP三極管，加快MOS管的關(guān)斷時(shí)間；單三極管的放電路徑要盡量的短，最好將三極管放在MOS管的旁邊。

其實(shí)，大功率大電流的開關(guān)管的結(jié)電容大倒是有個(gè)問題，就是損耗大了，無論升壓器還是pfc一概存在，根本不是什么關(guān)斷存在損耗，因?yàn)椋褪?安電流非常小了，其實(shí)，關(guān)斷損耗微乎其微的，再快速也無濟(jì)于事，其實(shí)，也不是越快速越好，就是會(huì)產(chǎn)生電壓變化率太高，會(huì)耦合到刪級(jí)，不是那么穩(wěn)定，要加一點(diǎn)吸收器。

    這個(gè)確實(shí)值得關(guān)注，因?yàn)椋蠊β蕄fc的開關(guān)管電流大的結(jié)電容損耗確實(shí)是比較大的，還是加輔助管子的大管的結(jié)電容形成能量變成輸出了，小管的結(jié)電容小了一些，但電壓更高了，這個(gè)可以減小這個(gè)損耗了，沒有別的辦法了，就是460的管子結(jié)電容是500P，損耗多少，P=CUUF,你的60安650伏的結(jié)電容差不多是5倍了 ，所以，發(fā)熱是必然的。就是實(shí)現(xiàn)軟開關(guān)是可以減小這個(gè)損耗的。

我隨便說一下，交錯(cuò)的在高電壓不是太必要，低電壓大電流才是必須的，交錯(cuò)就是兩項(xiàng)45度角了，0.707-1了，只要輸出瀘波的 三倍容量就一樣了，而且分流了，不會(huì)產(chǎn)生電容的發(fā)熱問題了，搞交錯(cuò)是可以，但是，兩組并聯(lián)的成本高太多了，不劃算的，我認(rèn)為還是單級(jí)的性價(jià)比高，效率其實(shí)的是一樣的，那么，是否兩個(gè)60安650伏兩管了，這個(gè)成本是非常高的。發(fā)熱更大了，單個(gè)才一半了，其實(shí)，pfc一般是400伏輸出直流電壓的吧，5000瓦12,5安嗎，不是非常大，如果低電壓12伏50安100安的，或者24伏的的，電流非常大，通常還是沒有交錯(cuò)，這里采用三相就是0,866到1，這個(gè)效果就非常好了，其實(shí)，十幾安采用單級(jí)確實(shí)可以，以前都是這么做的，成本低，把輸出電容增大一些不也就可以了嗎，成本低的多了，電路也非常簡(jiǎn)單了，就是一半了。

    我提供的技術(shù)觀點(diǎn)可以參考，現(xiàn)在出現(xiàn)一種炒作現(xiàn)象，其實(shí)，是歪論的多，是可以，但成本高經(jīng)濟(jì)上不劃算的，10安電流不是太大，20安的llc電源實(shí)在太多了，都是沒有交錯(cuò)，電容瀘波多一點(diǎn)容量就一點(diǎn)不發(fā)熱了，穩(wěn)定不高，如果一個(gè)的就發(fā)熱厲害溫度高了，如果三個(gè)電容，不可以從左到右，是中間引出端，這樣的電流比較平衡了，如果通常的，形成CLC，就一只溫度高另一只溫度低了，走線講究一下就可以了。

我看過一個(gè)帖子，才500瓦也搞了交錯(cuò)，這個(gè)是一個(gè)大笑話，因?yàn)椋?00瓦電流太小了，一個(gè)普通的560微法的電解電容就可以了，電流才2安多，怎么也不會(huì)發(fā)熱的，就是完全誤導(dǎo)了，現(xiàn)在相當(dāng)多都是炒作，比如碳化硅，什么無橋，什么DSP，都成了神仙一樣，結(jié)果是改變方式性質(zhì)沒有任何改變的，其實(shí)，實(shí)踐結(jié)果就是故障率更高，成本也高了，中國(guó)我看就是什么都狂轟濫炸，許多不大懂技術(shù)的人就被誤導(dǎo)了，就500瓦都搞了什么交錯(cuò)，電流復(fù)雜，成本高多了，非常不劃算的，都在降低成本才有競(jìng)爭(zhēng)力，交錯(cuò)就是45度角，就是0,707到1 ，三倍電容量就完全平衡了，成本高了一點(diǎn)但不多，交錯(cuò)就是兩組變換，低電壓采用的多，高電壓是電流小了，所以沒有必要。

    不過，我提一下，是這樣的，其實(shí)，500瓦就用560微法的電容，因?yàn)殡娏餍×怂詻]有任何關(guān)系的，其實(shí)，你的5000瓦的電容就是4700微法，如果單個(gè)確實(shí)會(huì)發(fā)熱的，那么，多個(gè)并聯(lián)，可以這么做嗎，不要一個(gè)電感器，分成三個(gè)，這個(gè)就是1666瓦，三個(gè)電感器，三個(gè)輸出二極管，分別680微法兩個(gè)一組，總共六個(gè)就是這個(gè)電容量了，兩個(gè)并聯(lián)的中間為引線，不是平行，否則，一個(gè)電容電流大一個(gè)小了，就是這樣的。低電壓大電流才搞交錯(cuò)，高電壓電流小了，其實(shí)，20安llc的電容的電流就是10安，都是直接電容瀘波就可以了，都是這么做的。我提供的供參考。

    就是說交錯(cuò)的低壓大電流，高電壓可以不采用，因?yàn)?，這個(gè)成本高不劃算的，比經(jīng)濟(jì)的，因?yàn)?，有人低電壓碰到問題了，如5伏60安100安的產(chǎn)品做過一些了，走線困難，沒有辦法，所以就發(fā)明了交錯(cuò)45度，三相的60度，其實(shí)就是這么一個(gè)道理，可以減小瀘波的電容的電流，高電壓就沒有什么關(guān)系了，5伏60瓦功率小了，如果60安220伏的功率就是一萬多瓦了，其實(shí)，5伏60安的通常也是沒有高交錯(cuò)的，我做過100安的存在一些問題，其實(shí)，也是可以的，就是搞了幾個(gè)個(gè)的電容并聯(lián)來分流了，這個(gè)走線就存在CLC小瀘波了，交錯(cuò)被5度就是電容的電流小了三倍了，就是這樣的。