abcd8：
樓主，給你個參考意見，僅供參考。我覺得是MOS管開關(guān)損耗引起的發(fā)熱，并不是導(dǎo)通損耗。根據(jù)你提供的波形來看，其中開通損耗比關(guān)斷損耗要大。1、先從MOS管的驅(qū)動波形來看，開通上升沿波形出現(xiàn)震蕩，這個震蕩會增加MOS管的開通損耗，所以可以優(yōu)化電路參數(shù)來減小或者避免這個震蕩。通常的做法，增大MOS管驅(qū)動電路的驅(qū)動能力或者減小柵極限流電阻阻值；縮短柵極驅(qū)動走線，優(yōu)化走線路徑。2、MOS管的關(guān)斷下降沿波形也出現(xiàn)了明顯的震蕩，這個震蕩同樣會增大MOS管的損耗，常見的就是MOS管VDS電壓出現(xiàn)尖峰，需要優(yōu)化MOS管關(guān)斷電路。通常的做法，在MOS管的G、S之間反接一個PNP三極管，加快MOS管的關(guān)斷時間；單三極管的放電路徑要盡量的短，最好將三極管放在MOS管的旁邊。