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UC3842B反激電路一上電mos管就炸了,求助

UC3842B反激電路一上電mos管就炸了。

根據(jù)網(wǎng)上的資料和手里的一個小功率電瓶車充電器,自己動手做了個60V2.8A的充電器,但是一上電MOSFET就炸了,我把部分圖以PDF格式上傳,大神幫我看看是什么原因。

還有變壓器是PQ32 35的,原邊兩個17T的半繞組 總共34T,初級側(cè)UC3842供電繞組4T,主輸出繞組20T,還有一個輔助輸出繞組4T,初級側(cè)34T的電感量為390uh。大家來給我指導(dǎo)下吧。Sheet1.pdf

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2016-07-15 18:01

圖中R9接法、C3C4取值、D2選型,以及輸出采樣電阻等設(shè)計有問題,變壓器同名端再核對一下,改好后串燈泡上電測試。

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js1008611
LV.2
3
2016-07-15 18:14
@ymyangyong
圖中R9接法、C3C4取值、D2選型,以及輸出采樣電阻等設(shè)計有問題,變壓器同名端再核對一下,改好后串燈泡上電測試。
變壓器同名端沒有問題,還有忘了說了我這是在空載的情況下,你說的這些也不至于不能工作吧
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js1008611
LV.2
4
2016-07-15 19:47
@js1008611
變壓器同名端沒有問題,還有忘了說了我這是在空載的情況下,你說的這些也不至于不能工作吧
大神來幫幫忙呀
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houran77
LV.6
5
2016-07-19 17:19
@js1008611
大神來幫幫忙呀

C3 C4 0.1uF 容量太大了,芯片的工作頻率會很低 很低,3腳斜率 再用個1.2k分壓+0.1uF濾波,3腳基本取不到電流波形

芯片頻率低,意味著單個脈沖的最大脈寬極大,3腳得不到限流波形,基本沒限流功能,炸機是應(yīng)該的。

改進方法,R13 去掉,C4典型參數(shù)1nF,C3典型參數(shù)范圍100pF-1nF,

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js1008611
LV.2
6
2016-07-19 18:42
@houran77
C3C40.1uF容量太大了,芯片的工作頻率會很低很低,3腳斜率再用個1.2k分壓+0.1uF濾波,3腳基本取不到電流波形芯片頻率低,意味著單個脈沖的最大脈寬極大,3腳得不到限流波形,基本沒限流功能,炸機是應(yīng)該的。改進方法,R13去掉,C4典型參數(shù)1nF,C3典型參數(shù)范圍100pF-1nF,
我是在空載的情況下測試的,然后就炸了
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js1008611
LV.2
7
2016-07-19 18:48
@houran77
C3C40.1uF容量太大了,芯片的工作頻率會很低很低,3腳斜率再用個1.2k分壓+0.1uF濾波,3腳基本取不到電流波形芯片頻率低,意味著單個脈沖的最大脈寬極大,3腳得不到限流波形,基本沒限流功能,炸機是應(yīng)該的。改進方法,R13去掉,C4典型參數(shù)1nF,C3典型參數(shù)范圍100pF-1nF,
還有現(xiàn)象是初級側(cè)的那個采樣電阻給燒壞了。mos管各個極之間都導(dǎo)通,但是mos管外觀完好
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zwyshxyz
LV.1
8
2016-07-20 10:03
@js1008611
還有現(xiàn)象是初級側(cè)的那個采樣電阻給燒壞了。mos管各個極之間都導(dǎo)通,但是mos管外觀完好
為什么2腳的VFB是接地的,你這樣不是沒有反饋了嗎?脈寬是無限制全開……原理有問題,好好的看看資料!
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2016-07-20 10:10
@zwyshxyz
為什么2腳的VFB是接地的,你這樣不是沒有反饋了嗎?脈寬是無限制全開……原理有問題,好好的看看資料!
2腳接地,屏蔽內(nèi)置誤差放大器,可以這樣接。
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js1008611
LV.2
10
2016-07-22 10:18
@ymyangyong
2腳接地,屏蔽內(nèi)置誤差放大器,可以這樣接。
大神,我現(xiàn)在C3和C4的值改了,C3,470pF C4,1nF,空載的時候已經(jīng)沒問題了,電壓正常,但是接上負(fù)載之后還是會炸,初級側(cè)取樣電阻炸了,mos管和UTC3842也炸了,能不能幫我看看是什么原因?
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2016-07-23 07:37
@js1008611
大神,我現(xiàn)在C3和C4的值改了,C3,470pFC4,1nF,空載的時候已經(jīng)沒問題了,電壓正常,但是接上負(fù)載之后還是會炸,初級側(cè)取樣電阻炸了,mos管和UTC3842也炸了,能不能幫我看看是什么原因?
還有地方?jīng)]改好,看下2樓,或者參考一下別人的電路。
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js1008611
LV.2
12
2016-07-23 09:28
@ymyangyong
還有地方?jīng)]改好,看下2樓,或者參考一下別人的電路。
R9那有什么問題?
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2016-07-23 15:37
@js1008611
R9那有什么問題?
R9應(yīng)該跟光耦并聯(lián)。D2用快恢復(fù)二極管,比如MUR840。
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簡單11
LV.1
14
2016-09-11 18:53
MOS管擊穿一般是因為端電壓太高所致,剛才算了一下,你這個反激的拓?fù)?,MOS兩端承受的最高電壓應(yīng)該是1.414*Vin+Vor+變壓器初級漏感產(chǎn)生的電壓尖峰,大概的值應(yīng)該是1.414*220+60*20/34+50=463V,應(yīng)該是沒問題的,你可以試試輸入電壓從低至高慢慢調(diào)上去觀察Vds兩端波形,再看看是不是RCD吸收電路有問題沒有吸收初級的漏感。
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yaojinc1962
LV.6
15
2016-09-12 16:38
看看電位器是不是在最大值狀態(tài),如果電位器調(diào)得較小,有可能輸出太高,電解電容已經(jīng)損壞(63V耐壓太低了)。
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2016-10-19 20:31
@js1008611
大神,我現(xiàn)在C3和C4的值改了,C3,470pFC4,1nF,空載的時候已經(jīng)沒問題了,電壓正常,但是接上負(fù)載之后還是會炸,初級側(cè)取樣電阻炸了,mos管和UTC3842也炸了,能不能幫我看看是什么原因?
R24改0.5歐姆,3842芯片,小于0.5歐姆,炸機居多。R9不接地接光耦的2腳,C3不要裝,再試試
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武二狼
LV.4
17
2016-12-10 12:05
看你的反饋回路了或者限流減小
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2016-12-10 14:47
樓主,你的D2\C3,C4\R13嚇到我了....
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2016-12-11 16:06
@qinzutaim
樓主,你的D2\C3,C4\R13嚇到我了....[圖片]
高壓擊穿導(dǎo)致的
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