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MOS管擊穿一般是因?yàn)槎穗妷禾咚?，剛才算了一下，你這個(gè)反激的拓?fù)?，MOS兩端承受的最高電壓應(yīng)該是1.414*Vin+Vor+變壓器初級(jí)漏感產(chǎn)生的電壓尖峰，大概的值應(yīng)該是1.414*220+60*20/34+50=463V，應(yīng)該是沒(méi)問(wèn)題的，你可以試試輸入電壓從低至高慢慢調(diào)上去觀察Vds兩端波形，再看看是不是RCD吸收電路有問(wèn)題沒(méi)有吸收初級(jí)的漏感。

傳導(dǎo)1M以內(nèi)大部分是差模干擾，可以試著更改一下整流橋之前的X安規(guī)電容容量大小，或者差模電感的感量大小，實(shí)際上變壓器內(nèi)也是可以的，如果在不影響驅(qū)動(dòng)工作的前提下，在變壓器最里層或者是變壓器初次級(jí)之間增加一層屏蔽，可將傳導(dǎo)波形的振幅減小。CDN30M好像也是壓線了，這里可以增大MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻或者在MOS管的D腳與變壓器的初級(jí)之間增加一個(gè)貼片磁珠。會(huì)有效果。

這個(gè)是次級(jí)吸收，吸收輸出整流端肖特基二極管的尖峰電壓的一個(gè)小電路結(jié)構(gòu)。

功率這么小，應(yīng)該是反激，但是你這只有變壓器的資料，沒(méi)有原理圖，掛角都不知道哪個(gè)是高壓端，哪個(gè)是低壓端，根本沒(méi)法判斷的。

我之前也碰到過(guò)這樣的問(wèn)題，你可以試試等比例放大分壓比電阻，我做60W600mA時(shí)就是用這個(gè)辦法把調(diào)整率調(diào)好的。