UC3843做的反激電路，驅(qū)動(dòng)波形出現(xiàn)大小波
最近做了一塊UC2843的板子，輸入45-80VDC，輸出兩路12V共2A負(fù)載，變壓器是EE16磁芯，初級(jí)48匝，次級(jí)19匝。頻率是100KHZ，示波器測(cè)試出來也接近這個(gè)頻率，可是MOS驅(qū)動(dòng)端的波形和漏級(jí)波形都不太對(duì)，好像是出現(xiàn)了干擾。器件除了NC的器件沒有焊，其他都是按原理圖焊的。請(qǐng)大神們指點(diǎn)一下，第一次做開關(guān)電源。圖1為MOS漏級(jí)波形，圖2為MOS柵極波形，圖3為原理圖
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@電源網(wǎng)-fqd
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你那原理圖是哪來的怎錯(cuò)誤一堆....
1).使用FB接腳回授, FB與COMP不要用電阻做直流閉迴路, 你確定你現(xiàn)在10K與2顆5.1K電阻分壓輸出是12V, 直流閉迴路從Comp接腳10K再灌電壓進(jìn)去, 你的電壓理論上會(huì)接近10V..所以去掉R73..
2). 把Q3拿掉, 這如果是做Soft Start 那就免了, 因?yàn)樗膭?dòng)作是當(dāng)Vref 還未建立時(shí), 把COMP拉對(duì)地, 問題是Vref 在Vcc建立後, Vref馬上建立, 在來才是Comp電壓拉到5V (Vref 位準(zhǔn))..所以你那Q3路徑有裝跟沒裝是一樣...
如圖:
R1,D1,D2,C1為Soft start 電路, 延遲多少時(shí)間由C1職所決定, Vcc部份你的損耗太大, 用啟動(dòng)開關(guān), 不然你的損耗當(dāng)最高80V時(shí), (80-12)^2 / 20K=0.23W
會(huì)很燙, Q2用耐壓100V電晶體就可, 電流不需要大.....
3). 通常大小週期都是CS接腳引起的, 把510R改大, 然後3pin與4pin 間, 接一顆幾百P電容可解....D4等於你的D12....
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@juntion
你那原理圖是哪來的怎錯(cuò)誤一堆....1).使用FB接腳回授,FB與COMP不要用電阻做直流閉迴路,你確定你現(xiàn)在10K與2顆5.1K電阻分壓輸出是12V,直流閉迴路從Comp接腳10K再灌電壓進(jìn)去,你的電壓理論上會(huì)接近10V..所以去掉R73..2).把Q3拿掉,這如果是做SoftStart那就免了,因?yàn)樗膭?dòng)作是當(dāng)Vref還未建立時(shí),把COMP拉對(duì)地,問題是Vref在Vcc建立後,Vref馬上建立,在來才是Comp電壓拉到5V(Vref位準(zhǔn))..所以你那Q3路徑有裝跟沒裝是一樣...如圖:[圖片]R1,D1,D2,C1為Softstart電路,延遲多少時(shí)間由C1職所決定,Vcc部份你的損耗太大,用啟動(dòng)開關(guān),不然你的損耗當(dāng)最高80V時(shí),(80-12)^2/20K=0.23W會(huì)很燙,Q2用耐壓100V電晶體就可,電流不需要大.....3).通常大小週期都是CS接腳引起的,把510R改大,然後3pin與4pin間,接一顆幾百P電容可解....D4等於你的D12....
加斜率補(bǔ)償可解決大小波問題，調(diào)節(jié)其它參數(shù)有時(shí)也可以，只不過麻煩很多。
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@juntion
你那原理圖是哪來的怎錯(cuò)誤一堆....1).使用FB接腳回授,FB與COMP不要用電阻做直流閉迴路,你確定你現(xiàn)在10K與2顆5.1K電阻分壓輸出是12V,直流閉迴路從Comp接腳10K再灌電壓進(jìn)去,你的電壓理論上會(huì)接近10V..所以去掉R73..2).把Q3拿掉,這如果是做SoftStart那就免了,因?yàn)樗膭?dòng)作是當(dāng)Vref還未建立時(shí),把COMP拉對(duì)地,問題是Vref在Vcc建立後,Vref馬上建立,在來才是Comp電壓拉到5V(Vref位準(zhǔn))..所以你那Q3路徑有裝跟沒裝是一樣...如圖:[圖片]R1,D1,D2,C1為Softstart電路,延遲多少時(shí)間由C1職所決定,Vcc部份你的損耗太大,用啟動(dòng)開關(guān),不然你的損耗當(dāng)最高80V時(shí),(80-12)^2/20K=0.23W會(huì)很燙,Q2用耐壓100V電晶體就可,電流不需要大.....3).通常大小週期都是CS接腳引起的,把510R改大,然後3pin與4pin間,接一顆幾百P電容可解....D4等於你的D12....
1、comp和FB之間的10K電阻放著與拿掉對(duì)結(jié)果影響不大，輸出都是12V左右；
2、之前不明白Q3的作用，現(xiàn)在打算先去掉，以后要做軟啟動(dòng)再說；
3、按你的說法在3與4腳間接了一個(gè)390p電容，測(cè)試出來還是有大小波。。。后來我換了另一款mos管，以1A負(fù)載輸出，重新測(cè)了一下結(jié)果就正常了。
再結(jié)合之前我用0.5A負(fù)載并沒有大小波，總結(jié)起來應(yīng)該是mos的功率不夠，才引起大小波
PS：一開始用的mos是從其他產(chǎn)品上拆下來的，后來換上的才是IRFR4615。
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@tzh0701
1、comp和FB之間的10K電阻放著與拿掉對(duì)結(jié)果影響不大，輸出都是12V左右；2、之前不明白Q3的作用，現(xiàn)在打算先去掉，以后要做軟啟動(dòng)再說；3、按你的說法在3與4腳間接了一個(gè)390p電容，測(cè)試出來還是有大小波。。。后來我換了另一款mos管，以1A負(fù)載輸出，重新測(cè)了一下結(jié)果就正常了。再結(jié)合之前我用0.5A負(fù)載并沒有大小波，總結(jié)起來應(yīng)該是mos的功率不夠，才引起大小波 PS：一開始用的mos是從其他產(chǎn)品上拆下來的，后來換上的才是IRFR4615。
大小週期不會(huì)因?yàn)镸OSFET的關(guān)係而造成
如圖
這是IC操作時(shí)的波形, 絕大多數(shù)的大小週期都是來自CS點(diǎn)與第之間, 上圖中, Pin4為RC震盪信號(hào), 當(dāng)MOSFET_S落地後, 經(jīng)由地線造成的干擾
Mosfet_S信號(hào)正常, 但Leading Edge很高, 這種Leading Edge 需要靠CS串RC加大來消, 當(dāng)消不掉, 則用Pin4對(duì)Pin3來做斜率補(bǔ)償
另一方法是減少由地線干擾, 可是著直接於IC Vcc與地不透過銅箔接一顆電容看看, 既然要學(xué)習(xí), 何不嘗試De-bug呢?
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@juntion
大小週期不會(huì)因?yàn)镸OSFET的關(guān)係而造成如圖[圖片]這是IC操作時(shí)的波形,絕大多數(shù)的大小週期都是來自CS點(diǎn)與第之間,上圖中,Pin4為RC震盪信號(hào),當(dāng)MOSFET_S落地後,經(jīng)由地線造成的干擾Mosfet_S信號(hào)正常,但LeadingEdge很高,這種LeadingEdge需要靠CS串RC加大來消,當(dāng)消不掉,則用Pin4對(duì)Pin3來做斜率補(bǔ)償另一方法是減少由地線干擾,可是著直接於ICVcc與地不透過銅箔接一顆電容看看,既然要學(xué)習(xí),何不嘗試De-bug呢?
更正"第三波行為MOS_D
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@juntion
大小週期不會(huì)因?yàn)镸OSFET的關(guān)係而造成如圖[圖片]這是IC操作時(shí)的波形,絕大多數(shù)的大小週期都是來自CS點(diǎn)與第之間,上圖中,Pin4為RC震盪信號(hào),當(dāng)MOSFET_S落地後,經(jīng)由地線造成的干擾Mosfet_S信號(hào)正常,但LeadingEdge很高,這種LeadingEdge需要靠CS串RC加大來消,當(dāng)消不掉,則用Pin4對(duì)Pin3來做斜率補(bǔ)償另一方法是減少由地線干擾,可是著直接於ICVcc與地不透過銅箔接一顆電容看看,既然要學(xué)習(xí),何不嘗試De-bug呢?
多謝！另外MOS_D在開關(guān)時(shí)候尖峰較大，有什么方法可以改善嗎
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@tzh0701
OK，是在低壓端，接近滿載輸出
4種Snubber 讓你參考, 其中你波形振幅那麼大應(yīng)該是用慢管的關(guān)係, 關(guān)於慢管, 在我的回覆中有說明你可以參考
下圖:
VC1 - VL 必須等於零
第二種損耗較低, 但吸收能力較差, 動(dòng)作是一開始Mos on時(shí), 二極體不動(dòng)作, VC1=0, 當(dāng)MOS Off後, VL透過D1轉(zhuǎn)移到C1, 等Mos ON時(shí), C1藉由R1放電
以上兩種前緣會(huì)有Ring
第三種使用TVS與二極體用砍斷方式, 當(dāng)Peak超過TVS崩潰電壓後, 立即被砍掉, 壓制性好, 但還是有Ring
第四種是使用一種叫Q-Diode 的二極體, 可在網(wǎng)路上搜尋"Q-Diode" 這是臺(tái)灣全漢的專利授權(quán), 好多家都想做,可是都做不出來, 臺(tái)灣是一家叫"全宇新"有在賣, (跟我沒關(guān)係, 這有點(diǎn)貴) 它的原理是利用如電晶體-VEB方式, 動(dòng)作與第一個(gè)Snubber很類似, 耐壓600V, 可是有一個(gè)非常大的逆向漏電流, 它就是立用逆向漏電流將Vc1清空,且空載不損耗, 重載可以節(jié)省約1-1.5%效率, 本人有測(cè)過, 還好...
一般, 前緣Peak 大多來自於變壓器的漏感, 你可以調(diào)整一下變壓器繞線密合度, 應(yīng)該可以改善..........
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@Derena
干擾來自電流檢測(cè)反饋電阻R80，這是常規(guī)反激電路特有的帶載偏磁現(xiàn)象，盡量的減少R80的阻值，使?jié)M載的時(shí)候剛好不產(chǎn)生干擾信號(hào)。
我也遇到這個(gè)問題。額定輸出20A，在16A的時(shí)候就開始出現(xiàn)pwm占空比震蕩，輸出電壓倒是很穩(wěn)，就是mos熱到90℃，負(fù)載一直不敢往上加。之前也懷疑是電流反饋超出1B，把采樣電阻并聯(lián)至原來的一半，5毫歐，沒解決問題。最后用鍍銀銅絲直接代替采樣電阻，故障依然。現(xiàn)在已經(jīng)束手無策了。
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