各位大神，開關電源整流前EMI設計的電容電感值怎么確定？還有單端反激降壓的反向電動勢值怎么確定？
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EMI電容 (X電容)與你的共模電感有關, 共模電感感量越大, X2電容可以變小, 但還是要在實驗室實測較準...
若要過安規(guī), 通常, 低於104以下X電容在L_N路徑上可不加洩放電組, 容值若越高, 則洩放電組的阻值要越低才可以符合安規(guī)洩放電壓要求
反電動勢為, 當MOS off 後, 副邊開始有電流流通, 因此可以視為從副邊偶合到原邊電壓0
週期忽略, 式子 NS / NP = (VS+VF) / Vp'
VP' = NP*(VS+VF) / NS
假設你NP=100T NS=12T VS = 12V VF =0.4V則,
VP' = (100*12.4) / 12 =103V, 所以你的原邊主MOSFET兩端, VDS(min) = Vp+Vp'
當AC輸入使直流最高整流為 380V時, MOSFET_VDS(min)為 380V+103V = 480V <==103V就是你的反電洞勢, 且為理想值..
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@juntion
EMI電容(X電容)與你的共模電感有關,共模電感感量越大,X2電容可以變小,但還是要在實驗室實測較準...若要過安規(guī),通常,低於104以下X電容在L_N路徑上可不加洩放電組,容值若越高,則洩放電組的阻值要越低才可以符合安規(guī)洩放電壓要求反電動勢為,當MOSoff後,副邊開始有電流流通,因此可以視為從副邊偶合到原邊電壓0週期忽略,式子 NS/NP=(VS+VF)/Vp' VP'=NP*(VS+VF)/NS 假設你NP=100T NS=12T VS=12V VF=0.4V則, VP'=(100*12.4)/12=103V,所以你的原邊主MOSFET兩端, VDS(min)=Vp+Vp' 當AC輸入使直流最高整流為380V時,MOSFET_VDS(min)為380V+103V=480V
謝謝，受教了
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