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同樣的電感量,將圈數(shù)增加一倍會有什么影響?

我用軟件計算了一個30W的變壓器參數(shù):
  Lp=589uH;
  Np=43T;
  Ns=2T;
如果在相同Lp的情況下,將Np改為86T,Ns改為4T.這樣做出來的變壓器是否還能正常工作.
全部回復(fù)(64)
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ipxzerg
LV.4
2
2007-04-11 19:11
圈數(shù)都加了一倍了,電感量還會一樣嗎?
難怪做電源的對學(xué)歷要求不高.
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hjp21cn
LV.5
3
2007-04-11 22:52
我猜測你的輸出大概是5V6A,增加線圈電感不變,就要加大氣隙,漏感變大,EMI會變大,線圈電阻也增大,損耗增大.
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rhett
LV.8
4
2007-04-12 05:47
@ipxzerg
圈數(shù)都加了一倍了,電感量還會一樣嗎?難怪做電源的對學(xué)歷要求不高.
你看清楚了,那是反激的變壓器有氣息的,你這樣說會傷害很多人的.
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rhett
LV.8
5
2007-04-12 05:51
@hjp21cn
我猜測你的輸出大概是5V6A,增加線圈電感不變,就要加大氣隙,漏感變大,EMI會變大,線圈電阻也增大,損耗增大.
你這個說法基本上是對的,但我有不同的觀點(diǎn).關(guān)于EMI是否變差這個不一定,你說的只是一個經(jīng)驗(yàn),因?yàn)槟氵€有SNUBBER等可以去改善..,在銅損加大的同時,磁芯的損耗是減小的,具體哪一個更好要看試驗(yàn)了.
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diangzi
LV.2
6
2007-04-12 09:17
@ipxzerg
圈數(shù)都加了一倍了,電感量還會一樣嗎?難怪做電源的對學(xué)歷要求不高.
瞎講
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ydzz
LV.5
7
2007-04-12 09:22
@ipxzerg
圈數(shù)都加了一倍了,電感量還會一樣嗎?難怪做電源的對學(xué)歷要求不高.
你是哪來的個家伙,誰說做電源對學(xué)歷要求不高?說話打擊一片.我看到很多低學(xué)歷的做的電源比我做的好得多,雖然他們說不出原因.你又怎么知道樓主的學(xué)歷?自己沒搞清楚不要亂講.
樓主你改后是可以用的,只要你的BOBBIN繞得下,線徑可流過工作電流,就可以,只是注意線包溫度,影響EMI不大,除非你的氣隙在兩邊.
我有時BOBBIN繞不滿就增加繞組,這是一個工藝和經(jīng)驗(yàn)問題.
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copper
LV.4
8
2007-04-12 09:37
@ydzz
你是哪來的個家伙,誰說做電源對學(xué)歷要求不高?說話打擊一片.我看到很多低學(xué)歷的做的電源比我做的好得多,雖然他們說不出原因.你又怎么知道樓主的學(xué)歷?自己沒搞清楚不要亂講.樓主你改后是可以用的,只要你的BOBBIN繞得下,線徑可流過工作電流,就可以,只是注意線包溫度,影響EMI不大,除非你的氣隙在兩邊.我有時BOBBIN繞不滿就增加繞組,這是一個工藝和經(jīng)驗(yàn)問題.
我主要考慮的是軟件計算的結(jié)果Ns=2有些不合適,我的輸出5V,Ns=2T,相當(dāng)于每圈2.5V.看很多資料都介紹說每圈0.6V時比較合適.所以才考慮增加Np.

還有一個問題再向大家請教一下,同樣的功率,為何輸出不同時Lp和Np也不一樣.如12V/2.5A和5V/6A計算的參數(shù)就不一樣.
還有當(dāng)輸出為5V/3A+12V/0.5A+7V/0.8A+12V/0.05A四路輸出時,差異更大.謝謝!
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caizhilin
LV.3
9
2007-04-12 09:45
@ipxzerg
圈數(shù)都加了一倍了,電感量還會一樣嗎?難怪做電源的對學(xué)歷要求不高.
還不知道自己是不是大炮,就開始轟人了!
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ydzz
LV.5
10
2007-04-12 12:24
@copper
我主要考慮的是軟件計算的結(jié)果Ns=2有些不合適,我的輸出5V,Ns=2T,相當(dāng)于每圈2.5V.看很多資料都介紹說每圈0.6V時比較合適.所以才考慮增加Np.還有一個問題再向大家請教一下,同樣的功率,為何輸出不同時Lp和Np也不一樣.如12V/2.5A和5V/6A計算的參數(shù)就不一樣.還有當(dāng)輸出為5V/3A+12V/0.5A+7V/0.8A+12V/0.05A四路輸出時,差異更大.謝謝!
軟件往往模糊了工程師之間的水平差異,你沒真正弄懂,因?yàn)橥邤?shù)雖一樣,但輸出電流不一樣,那初級電流峰值就不一樣,輸出電壓不一樣,反激電壓也不一樣,這在算初級電感時都要用到,你想想看還會一樣嗎?
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new!
LV.4
11
2007-04-12 17:21
設(shè)計變壓器不是靠蒙的!
你計算一個變壓器要顧及好多參數(shù):
1.占空比,匝比不能太大,否則占空比也很大;
2.mosfet和dio的耐壓,兩者要兼顧;
3.工作模式的選擇,連續(xù)的程度;
4.氣隙最好在0.3~1mm,你的原邊匝數(shù)一下子翻了一倍,你知道你的氣隙要變化多大嗎?
5.變壓器損耗,最好讓銅損和磁損基本相等,這樣最好.
6.防止飽和;
7.盡量完全利用變壓器,讓線包充滿窗口.
要自己計算變壓器,好多軟件計算的不一定ok!
記住:反激變壓器是耦合電感,不是唯一的,主要看你要兼顧什么參數(shù)了.給我你的參數(shù),我?guī)湍阌嬎阋粋€變壓器.
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ydzz
LV.5
12
2007-04-12 17:46
@new!
設(shè)計變壓器不是靠蒙的!你計算一個變壓器要顧及好多參數(shù):1.占空比,匝比不能太大,否則占空比也很大;2.mosfet和dio的耐壓,兩者要兼顧;3.工作模式的選擇,連續(xù)的程度;4.氣隙最好在0.3~1mm,你的原邊匝數(shù)一下子翻了一倍,你知道你的氣隙要變化多大嗎?5.變壓器損耗,最好讓銅損和磁損基本相等,這樣最好.6.防止飽和;7.盡量完全利用變壓器,讓線包充滿窗口.要自己計算變壓器,好多軟件計算的不一定ok!記住:反激變壓器是耦合電感,不是唯一的,主要看你要兼顧什么參數(shù)了.給我你的參數(shù),我?guī)湍阌嬎阋粋€變壓器.
其它幾條我支持,但“氣隙最好在0.3~1mm”,這可不一定了哦.
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new!
LV.4
13
2007-04-12 17:54
@ydzz
其它幾條我支持,但“氣隙最好在0.3~1mm”,這可不一定了哦.
你知道為什么嗎?
但氣隙很小的時候,誤差就會對感量有很大影響,這主要是考慮批量生產(chǎn),另外,氣息過大,漏感也大,EMc呢?不說也知道了吧?
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morning
LV.7
14
2007-04-12 18:20
@copper
我主要考慮的是軟件計算的結(jié)果Ns=2有些不合適,我的輸出5V,Ns=2T,相當(dāng)于每圈2.5V.看很多資料都介紹說每圈0.6V時比較合適.所以才考慮增加Np.還有一個問題再向大家請教一下,同樣的功率,為何輸出不同時Lp和Np也不一樣.如12V/2.5A和5V/6A計算的參數(shù)就不一樣.還有當(dāng)輸出為5V/3A+12V/0.5A+7V/0.8A+12V/0.05A四路輸出時,差異更大.謝謝!
5V 2T可以的,沒有問題
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ipxzerg
LV.4
15
2007-04-12 19:30
@caizhilin
還不知道自己是不是大炮,就開始轟人了!
我只是覺得這是很基本的問題.
連這個都沒搞懂就用軟件代勞,你是在幫他還是在害他哦?我只是說話重了點(diǎn)而已,初衷也是希望他能把原理搞懂.
不要來不來什么大炮不大炮的.電源的對學(xué)歷要求不高是事實(shí),但我沒有說做電源的學(xué)歷就不高.
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ipxzerg
LV.4
16
2007-04-12 19:32
@rhett
你看清楚了,那是反激的變壓器有氣息的,你這樣說會傷害很多人的.
圈數(shù)加一倍,電感量要大1.4倍,要維持電感量不變,老兄你要磨多少氣息哦?
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ipxzerg
LV.4
17
2007-04-12 19:36
@ydzz
你是哪來的個家伙,誰說做電源對學(xué)歷要求不高?說話打擊一片.我看到很多低學(xué)歷的做的電源比我做的好得多,雖然他們說不出原因.你又怎么知道樓主的學(xué)歷?自己沒搞清楚不要亂講.樓主你改后是可以用的,只要你的BOBBIN繞得下,線徑可流過工作電流,就可以,只是注意線包溫度,影響EMI不大,除非你的氣隙在兩邊.我有時BOBBIN繞不滿就增加繞組,這是一個工藝和經(jīng)驗(yàn)問題.
講不出原因的就算做好了又有什么用?
如果你覺得自己是個合格的工程技術(shù)人員,那么請知其然的同時也要知其所以然,否則與剽竊無異.
你說對EMI影響不大,完全誤人子弟.
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ydzz
LV.5
18
2007-04-12 19:38
@new!
你知道為什么嗎?但氣隙很小的時候,誤差就會對感量有很大影響,這主要是考慮批量生產(chǎn),另外,氣息過大,漏感也大,EMc呢?不說也知道了吧?
不能不承認(rèn)你說的有道理,但現(xiàn)實(shí)中有很多時候氣隙是大于1的,一個電源它的空間定死了,那磁芯也就定死了,只可小不可大,因?yàn)殡娏骶€包繞得滿滿的,這時恐怕只能用增加氣隙來增加儲能空間,我曾見過氣隙達(dá)3MM的變壓器,我原來公司的反激電源氣隙均大于1,但就像你說的,看你偏重于哪一點(diǎn).
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ydzz
LV.5
19
2007-04-12 20:08
@ipxzerg
講不出原因的就算做好了又有什么用?如果你覺得自己是個合格的工程技術(shù)人員,那么請知其然的同時也要知其所以然,否則與剽竊無異.你說對EMI影響不大,完全誤人子弟.
我?guī)状闻龅焦謫栴}是人家用經(jīng)驗(yàn)告訴我怎么解決,說實(shí)在的,有些經(jīng)驗(yàn)我根本想不到那里去,然后我問為什么,他們往往說不出個原因,就只有自己去研究了.
我的本意是你要尊重低學(xué)歷者,你的話里有瞧不起學(xué)歷低的人.話又說回來,什么叫高學(xué)歷什么叫低學(xué)歷有一個絕對的界限嗎?你敢說你比樓主的學(xué)歷高嗎?假若人家是從其它專業(yè)轉(zhuǎn)行做電源的呢?說不定學(xué)歷比你高很多.你不回答人家也就罷了,還斷定人家是低學(xué)歷,現(xiàn)在好多剛畢業(yè)的高學(xué)歷者什么都不懂.
做學(xué)問是要刨根問底,但你敢說電源每個環(huán)節(jié)你都知其然也知其所以然嗎?那你把每種電源環(huán)路的傳遞函數(shù)或模型分析講出個所以然來聽聽,好多東西研究了但不一定講得出個所以然來.
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正弦芯
LV.8
20
2007-04-12 20:37
@ydzz
我?guī)状闻龅焦謫栴}是人家用經(jīng)驗(yàn)告訴我怎么解決,說實(shí)在的,有些經(jīng)驗(yàn)我根本想不到那里去,然后我問為什么,他們往往說不出個原因,就只有自己去研究了.我的本意是你要尊重低學(xué)歷者,你的話里有瞧不起學(xué)歷低的人.話又說回來,什么叫高學(xué)歷什么叫低學(xué)歷有一個絕對的界限嗎?你敢說你比樓主的學(xué)歷高嗎?假若人家是從其它專業(yè)轉(zhuǎn)行做電源的呢?說不定學(xué)歷比你高很多.你不回答人家也就罷了,還斷定人家是低學(xué)歷,現(xiàn)在好多剛畢業(yè)的高學(xué)歷者什么都不懂.做學(xué)問是要刨根問底,但你敢說電源每個環(huán)節(jié)你都知其然也知其所以然嗎?那你把每種電源環(huán)路的傳遞函數(shù)或模型分析講出個所以然來聽聽,好多東西研究了但不一定講得出個所以然來.
有道理.
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power006
LV.5
21
2007-04-12 20:43
@new!
設(shè)計變壓器不是靠蒙的!你計算一個變壓器要顧及好多參數(shù):1.占空比,匝比不能太大,否則占空比也很大;2.mosfet和dio的耐壓,兩者要兼顧;3.工作模式的選擇,連續(xù)的程度;4.氣隙最好在0.3~1mm,你的原邊匝數(shù)一下子翻了一倍,你知道你的氣隙要變化多大嗎?5.變壓器損耗,最好讓銅損和磁損基本相等,這樣最好.6.防止飽和;7.盡量完全利用變壓器,讓線包充滿窗口.要自己計算變壓器,好多軟件計算的不一定ok!記住:反激變壓器是耦合電感,不是唯一的,主要看你要兼顧什么參數(shù)了.給我你的參數(shù),我?guī)湍阌嬎阋粋€變壓器.
受教
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ipxzerg
LV.4
22
2007-04-12 23:06
@ydzz
我?guī)状闻龅焦謫栴}是人家用經(jīng)驗(yàn)告訴我怎么解決,說實(shí)在的,有些經(jīng)驗(yàn)我根本想不到那里去,然后我問為什么,他們往往說不出個原因,就只有自己去研究了.我的本意是你要尊重低學(xué)歷者,你的話里有瞧不起學(xué)歷低的人.話又說回來,什么叫高學(xué)歷什么叫低學(xué)歷有一個絕對的界限嗎?你敢說你比樓主的學(xué)歷高嗎?假若人家是從其它專業(yè)轉(zhuǎn)行做電源的呢?說不定學(xué)歷比你高很多.你不回答人家也就罷了,還斷定人家是低學(xué)歷,現(xiàn)在好多剛畢業(yè)的高學(xué)歷者什么都不懂.做學(xué)問是要刨根問底,但你敢說電源每個環(huán)節(jié)你都知其然也知其所以然嗎?那你把每種電源環(huán)路的傳遞函數(shù)或模型分析講出個所以然來聽聽,好多東西研究了但不一定講得出個所以然來.
你覺得樓主的這種精神值得學(xué)習(xí)嗎?
就是有太多的拿來主義,什么都是現(xiàn)成的,當(dāng)然要落后于人了,像樓主這樣的簡單問題你說是不是應(yīng)該先自己查書呢?我是在批評樓主,也是在喚醒仍然半睡半醒的人,不是要傷害某些人.
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rhett
LV.8
23
2007-04-12 23:45
@ipxzerg
你覺得樓主的這種精神值得學(xué)習(xí)嗎?就是有太多的拿來主義,什么都是現(xiàn)成的,當(dāng)然要落后于人了,像樓主這樣的簡單問題你說是不是應(yīng)該先自己查書呢?我是在批評樓主,也是在喚醒仍然半睡半醒的人,不是要傷害某些人.
你不同意這個做法就不要回答就好了.
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new!
LV.4
24
2007-04-13 09:37
@ydzz
不能不承認(rèn)你說的有道理,但現(xiàn)實(shí)中有很多時候氣隙是大于1的,一個電源它的空間定死了,那磁芯也就定死了,只可小不可大,因?yàn)殡娏骶€包繞得滿滿的,這時恐怕只能用增加氣隙來增加儲能空間,我曾見過氣隙達(dá)3MM的變壓器,我原來公司的反激電源氣隙均大于1,但就像你說的,看你偏重于哪一點(diǎn).
我所設(shè)計的變壓器的氣隙都在范圍以內(nèi),沒有那么大的,如果有大氣隙出現(xiàn)我會調(diào)整的,記住反激變壓器設(shè)計是一個反復(fù)的過程.
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new!
LV.4
25
2007-04-13 09:54
1176429223.doc
反激變壓器設(shè)計指導(dǎo)
1
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ydzz
LV.5
26
2007-04-13 09:54
@ipxzerg
你覺得樓主的這種精神值得學(xué)習(xí)嗎?就是有太多的拿來主義,什么都是現(xiàn)成的,當(dāng)然要落后于人了,像樓主這樣的簡單問題你說是不是應(yīng)該先自己查書呢?我是在批評樓主,也是在喚醒仍然半睡半醒的人,不是要傷害某些人.
話講到這個份上,我也不好再說什么了.
拿來主義是一個現(xiàn)狀,也是沒辦法,畢竟我們不是專搞科研的,有自己的實(shí)驗(yàn)室,再說就算有自己的實(shí)驗(yàn)室知識也不夠,我為什么這樣說呢,我在美國的大學(xué)同學(xué)講,美國的博士有經(jīng)費(fèi),失敗了政府也不會追責(zé)任,他們每天就是把各個變量的可能性加以運(yùn)算形成理論,我自認(rèn)為我的高等數(shù)學(xué)學(xué)的還不錯,但看了他們的計算方法我感覺在看天書,不信你把華羅庚的《堆壘素數(shù)論》相關(guān)書籍找來看一下,看你能看懂多少,你用的工具軟件PROTEL,AUTOCAD,PROE/,MASTERCAM哪一樣不是國外的,仿真軟件SABER等又哪一樣不是國外的.電源的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)沒一樣是亞洲人發(fā)明的,更沒有中國人的份,近年來日本還算小有作為,幾乎全是美國麻省理工學(xué)院等幾個學(xué)校出來的.
以PROE/來說,美國原來是用來設(shè)計飛機(jī)的,根本不外傳,十幾年前他們有了更好的軟件才把PROE/推向市場,而這么多年了,我們連人家用的是什么都不知道,中國現(xiàn)在推出了幾樣三維軟件,但都比不上PROE/.
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xy_k8299
LV.6
27
2007-04-13 10:08
@rhett
你看清楚了,那是反激的變壓器有氣息的,你這樣說會傷害很多人的.
增加線圈電感不變,GAP加大了,漏感會變大,EMI會變大,線圈電阻也增大,銅損增大,但鐵損會小點(diǎn).要看你的具體電路跟BBN大小,還有變壓器工法等,并不是NP越大越好的.
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copper
LV.4
28
2007-04-13 10:42
@new!
1176429223.doc反激變壓器設(shè)計指導(dǎo)
很好的資料.非常感謝!
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hjp21cn
LV.5
29
2007-04-15 18:42
@rhett
你這個說法基本上是對的,但我有不同的觀點(diǎn).關(guān)于EMI是否變差這個不一定,你說的只是一個經(jīng)驗(yàn),因?yàn)槟氵€有SNUBBER等可以去改善..,在銅損加大的同時,磁芯的損耗是減小的,具體哪一個更好要看試驗(yàn)了.
他講的是同樣的感量,那么f不會變,鐵損就不會變;匝比不變,那么初次級電流就不會變,整個損耗隨銅損加大.
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李紹波
LV.9
30
2007-04-15 18:47
@ipxzerg
圈數(shù)加一倍,電感量要大1.4倍,要維持電感量不變,老兄你要磨多少氣息哦?
1.4倍是怎么算的?
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rhett
LV.8
31
2007-04-15 20:26
@hjp21cn
他講的是同樣的感量,那么f不會變,鐵損就不會變;匝比不變,那么初次級電流就不會變,整個損耗隨銅損加大.
兄弟,鐵損和dB是有關(guān)系的,你在好好想想,寫下公式就知道了.
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