補(bǔ)充一下,電機(jī)的轉(zhuǎn)速是由PWM脈沖的占空比控制,PWM寬度和方向都是根據(jù)單片機(jī)采集到的模擬信號(hào)0~5V得到的.如果該信號(hào)>2.5V,電機(jī)正轉(zhuǎn),<2.5則反轉(zhuǎn).=2.5時(shí)電機(jī)轉(zhuǎn)速為零,5V和0V分別是正反向100%轉(zhuǎn)速,所以轉(zhuǎn)速與該信號(hào)是成線(xiàn)性關(guān)系的.

自己頂一頂

:( 高手們還沒(méi)上班嗎?

快速改變轉(zhuǎn)向時(shí)有兩個(gè)原因?qū)е聼?一是MOS管由導(dǎo)通到完全關(guān)閉需要一點(diǎn)時(shí)間,在尚未完全關(guān)閉的情況下開(kāi)通另一路MOS管將造成上下管直通而燒管;二是電機(jī)本身有很大的慣性,在迅速改變轉(zhuǎn)向時(shí),由于電機(jī)還在做慣性運(yùn)轉(zhuǎn),換向后的起始電流大于電機(jī)靜止啟動(dòng)時(shí)需要的啟動(dòng)電流,這個(gè)電流是額定電流的好幾倍,MOS管余量不夠也很容易燒管.

看樓主的描述,可能是第一種情況,建議換向時(shí)單片機(jī)按關(guān)閉、延時(shí)、再開(kāi)啟的步驟來(lái)控制.

是第二種啦

板大說(shuō)的是在正轉(zhuǎn)時(shí)
電機(jī)慣性未完全靜止時(shí)
輸入反轉(zhuǎn)訊號(hào)
導(dǎo)致POWERMOS被擊穿

板大可以偵測(cè)PIC的11.12腳位電壓
電壓=0V表示電機(jī)已靜止
即可輸入下一個(gè)運(yùn)轉(zhuǎn)訊號(hào)

可外接機(jī)械式煞車(chē)
或煞車(chē)電阻
縮短煞車(chē)時(shí)間

邏輯錯(cuò)誤導(dǎo)致直通可以排除,因?yàn)橛玫膯纹瑱C(jī)PWM輸出本身就帶有死區(qū)時(shí)間設(shè)置的,另外后級(jí)的MOSFET驅(qū)動(dòng)IC也設(shè)置有死區(qū).

今天又模擬了一次,基本可以確認(rèn)是第二種情況.加機(jī)械制動(dòng)可能性不大,因?yàn)橐紤]成本.加制動(dòng)電阻的話(huà),因?yàn)檫@個(gè)大電流是在H的下半部,即"電機(jī)-Q3-Q4-電機(jī)"這樣的方向,不知道該往哪里加.現(xiàn)在考慮能不能在軟件上改一下,但又要保持轉(zhuǎn)向要快速,不知道是不是可行.

另:采樣電機(jī)兩端電壓再控制PWM輸出這個(gè)方法很好,只是看時(shí)間是是不是來(lái)得及.我明天會(huì)繼續(xù)試,有結(jié)果再向各位匯報(bào)請(qǐng)教.

今天嘗試了用軟件方法解決這個(gè)問(wèn)題.

(1)等電機(jī)慣性轉(zhuǎn)動(dòng)結(jié)束之后再給反向信號(hào).
   這種方法耗時(shí)太長(zhǎng),不能滿(mǎn)足快速轉(zhuǎn)向的要求.

(2)電機(jī)慣性轉(zhuǎn)動(dòng)開(kāi)始后,同時(shí)打開(kāi)Q3Q4,關(guān)閉Q1Q2,將電機(jī)反向電動(dòng)勢(shì)強(qiáng)行拉到0伏.
   因?yàn)槲矣玫墓茏宇~定電流只比電機(jī)額定大10A,因此這種方法Q3Q4無(wú)疑會(huì)被電源(電機(jī)的發(fā)電狀態(tài))短路時(shí)的大電流擊穿.

硬件改動(dòng)的可能性:
(1)使用更高電流容量的FET, 但這種FET可能價(jià)格較高.
(2)Q3Q4分別并聯(lián)一只相同型號(hào)的管,使FET的電流容量翻倍(前提是翻倍之后能滿(mǎn)足要求).
(3)電機(jī)兩端加吸收回路,但又不能影響電機(jī)的響應(yīng)速度.可能是RCD SNUBBER.
(4)設(shè)計(jì)能量回饋電路,將電機(jī)慣性的動(dòng)能反饋回電網(wǎng)(24V電池)?

不知道論壇上有沒(méi)哪位兄弟曾經(jīng)設(shè)計(jì)過(guò)類(lèi)似的電路,能夠簡(jiǎn)單而有效地解決此類(lèi)問(wèn)題?

樓主，解決這個(gè)問(wèn)題了嗎？怎么解決的。我也正在做，還沒(méi)遇到你的問(wèn)題，問(wèn)一下提前預(yù)防，謝謝！