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MOS管導通壓降的分析討論

MOS管是柵電壓控制漏源之間電流導通狀況的器件,數(shù)字電路中MOS管在大信號工作,有導通和截止兩種狀態(tài),因此可以作為電子開關(guān).處于接通狀態(tài)時,經(jīng)過開關(guān)的輸出電平將會比輸入低一個NMOS管的閾值電壓.
     門極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導通狀態(tài);當Vgs Vth 時,器件處于導通狀態(tài);器件的通態(tài)電阻與Vgs 有關(guān),Vgs 大,通態(tài)電阻小;多數(shù)器件的Vgs 為12V-15V ,額定值為+-30V.

   我現(xiàn)在是用示波器測量DS間的波形得到這個電壓,不同的管子不同的供電電壓不同的控制電壓結(jié)果不同.DS間導通壓降一般在3V到10幾伏之間,不知道我測量的對不對,你們都是怎么測量的,敬請各位朋友批評交流指正,謝謝!
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st.you
LV.10
2
2008-04-22 21:25
如果已知流過MOS電流,導通壓降直接用歐姆定律算一下就知道了.
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ridgewang
LV.8
3
2008-04-22 22:48
“處于接通狀態(tài)時,經(jīng)過開關(guān)的輸出電平將會比輸入低一個NMOS管的閾值電壓. ”
此話有些錯誤!
MOS管三條腿之間的關(guān)系可不是這樣的.
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2008-04-23 09:07
@ridgewang
“處于接通狀態(tài)時,經(jīng)過開關(guān)的輸出電平將會比輸入低一個NMOS管的閾值電壓.”此話有些錯誤!MOS管三條腿之間的關(guān)系可不是這樣的.
DS間的電壓是什么樣的呢?與那些外界條件相關(guān),是什么規(guī)律?
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2008-04-23 09:21
MOS管的導通壓降一般跟MOS管的型號,柵極驅(qū)動電壓以及通過MOS管的D、S電流決定的.
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2008-04-23 09:23
@心中有冰
MOS管的導通壓降一般跟MOS管的型號,柵極驅(qū)動電壓以及通過MOS管的D、S電流決定的.
你們都是如何測量的呢?
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2008-04-23 09:55
@smps-pioneer
你們都是如何測量的呢?
電壓經(jīng)過mos管的壓降為導通電阻和流經(jīng)mos管電流的乘積．


另外,柵極的驅(qū)動電壓不光要大于mos管的開啟電壓vth,還要使mos管工作在飽和區(qū),而不是在線性區(qū),這樣才能保證mos管的損耗小．
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2008-04-23 11:50
@小豬鑼鑼
電壓經(jīng)過mos管的壓降為導通電阻和流經(jīng)mos管電流的乘積．另外,柵極的驅(qū)動電壓不光要大于mos管的開啟電壓vth,還要使mos管工作在飽和區(qū),而不是在線性區(qū),這樣才能保證mos管的損耗?。?/span>
謝謝!按照我上面說的測量方法,輸出功率不變,只改變DS間的供電電壓,發(fā)現(xiàn)DS間的壓降也升高,這說明導通電阻隨DS間的供電電壓的升高而變大,是這樣的嗎?
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