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boost電源磁芯選擇設計實例

開關(guān)電源設計第三版257頁

       BOOST設計實例:

  輸入電壓100V

  輸出電壓200V

  開關(guān)頻率50KHZ

  平均負載電流Idc=10A

  紋波電流DIL=15%=1.5A

  溫度不超過40℃

   占空比計算D=(Vo-Vi)/Vo= (200-100)/200=0.5

   周期計算T=1/50khz=20us

 

  開通時間Ton=T×D=20us×0.5=10us=dt

(1)電感計算:

        通常VL=ldi/dt

        V=LdIL/ dt         所以L=V×dt/dIL=100×10/1.5=666UH=0.666MH

(2)磁芯儲能計算             W儲能的能量單位MJ    L電感量MH       I為A

      W=1/2LI2        W=1/2×0.666×102=33.33mj

(3)以溫升為參數(shù)計算磁芯尺寸選擇。

     根據(jù)259頁圖7.37坐標。30℃和31MJ的交叉點得到磁芯面積AP=14CM④

     根據(jù)表7.12E形鐵粉芯磁芯(美國微金屬公司)   

    磁芯面積AP=14CM④對應的磁芯為E220

(4)計算初級匝數(shù)

    查表E220  A∫為初始導磁率240×10-⑨

    L=N2A∫            所以N=√ ̄L/A∫=1000×√ ̄0.666/240=53匝  

(5)磁芯損耗計算

   Bac為磁通交流擺幅       V為L兩端的電壓100V     開通時間Ton為10us      N=53匝      Ae=360mm2(這里表格是3.6)計算公式缺是360

     Bac=Vton/NAe     Bac=100(10)/53 (360)=0.0524T=524G

提示:由于交流狀態(tài)引起的磁通變化以平均磁通為中心。這里由直流輸出電流決定本例為10A。(BUCK和BOOST為扼流圈含有直流成分)。

查261頁圖7.39鐵粉芯材料損耗曲線圖在水平坐標軸上找到524G  50KHZ的損耗為600mW/cm3    由于是單端場合損耗為1半即300mW/cm3  

    總損耗為47.7×300×10﹣3=13.4W

 (6)線徑

   由259頁表7.12得知E220磁芯窗口面積為4.09cm2窗口有效面積為60%=2.45cm2

   Acu/n=2.45/53=0.0462cm2

  由220頁表7.9得知#11AWG線最接近其電阻為4.13豪歐/m

由于交流應力大應考慮集膚效應,通常采用多股細線并繞到同樣的銅面積而不采用一根大線并且#11號線很難繞制。

(7)銅損

  由259頁表7,12得知E220磁芯每匝繞組平均長度為11.5因此繞組長度為

        N×MLT=53×11.5=610CM          6.095×0.00413=0.025歐

因此銅損為I2Rcu=102×0.025=2.5W

結(jié)論;正如我們所料13.4W的磁芯損耗超過2.5W的銅損很多。很明顯這不是最佳設計。它們的發(fā)熱量不等。

遇到這種情況,有下面幾個解決方法:

①:磁芯損耗和銅損近似相等時最佳。

②:更好的方法是采用磁導率較低的材料以降低磁芯損耗。當然導磁率低了線圈匝數(shù)就多了銅損增加,磁損減少。

也不知道字體怎么調(diào)整,想調(diào)大點。沒看見選項。

重新計算新匝數(shù)

使用#8材料設計 計算N=69匝。Bac=400G   磁芯損耗為4.53W。銅損為4.4W

可以認為這是效率最佳設計。

   

  

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2017-09-11 00:05
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