逆變前級(jí)boost電路輸出電壓在每個(gè)開關(guān)導(dǎo)通瞬間都會(huì)產(chǎn)生振蕩，求大神解惑~
額定負(fù)載為180V輸出，現(xiàn)在只上到18V輸出，發(fā)現(xiàn)輸出電壓在每個(gè)MOS管導(dǎo)通瞬間有一個(gè)振蕩，而MOS關(guān)斷瞬間就沒有。二極管用的ST的SiC，應(yīng)該不是反向恢復(fù)問題。。調(diào)試期間也有過36V輸出，但振蕩也是成比例增加。 輸出電容為兩個(gè)450V/680uF電解電容并，再加一個(gè)小的CBB104薄膜電容（剛開始薄膜電容用的105，換成104后波形好了點(diǎn)，但還是不盡人意）。希望有大神能夠解惑，不勝感激！
波形從上至下依次為vgs vds和vo全部回復(fù)(12)
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@juntion
這是推挽左右導(dǎo)通與關(guān)斷兩者速度不夠快，把死區(qū)再加大一些些就不見了....
這不是推挽電路，是boost電路，只有一個(gè)開關(guān)管，第二個(gè)波形是mos管的漏-源電壓，所以不存在死區(qū)問題。。。還有mos管開通時(shí)本來就有米勒平臺(tái)，肯定沒關(guān)斷時(shí)速度快的吧。但米勒平臺(tái)也只能影響到Vds的下降速度，跟這個(gè)振蕩無關(guān)吧？感覺振蕩更像是二極管反向恢復(fù)導(dǎo)致的，但這二極管是80多塊大洋買的sic的呀，而且只買了一個(gè)也不好替換，搞不懂搞不懂。。。
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@nuaa_yzl
電感是用NPF磁粉芯材料的磁環(huán)繞制，因磁粉芯不導(dǎo)電，所以繞線與磁芯間的電容可以忽略；繞線是用的0.1*600股的利茲線，繞線之間的電容應(yīng)該也不會(huì)太大；退一步來講，就算是電感寄生電容的影響，那為什么只在開關(guān)導(dǎo)通瞬間有振蕩，關(guān)斷瞬間就小了很多呢？希望版主能詳細(xì)講解下，萬分感謝~[圖片]另外上傳電感電流波形圖（綠色部分）
可能還有布線等其它因素的影響，先換個(gè)電感看下有沒有區(qū)別。測(cè)試方法方面，一般要求限制20M帶寬，去掉地線夾，在輸出電容兩端來測(cè)。
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