逆變前級(jí)boost電路輸出電壓在每個(gè)開關(guān)導(dǎo)通瞬間都會(huì)產(chǎn)生振蕩,求大神解惑~
額定負(fù)載為180V輸出,現(xiàn)在只上到18V輸出,發(fā)現(xiàn)輸出電壓在每個(gè)MOS管導(dǎo)通瞬間有一個(gè)振蕩,而MOS關(guān)斷瞬間就沒有。二極管用的ST的SiC,應(yīng)該不是反向恢復(fù)問題。。調(diào)試期間也有過36V輸出,但振蕩也是成比例增加。 輸出電容為兩個(gè)450V/680uF電解電容并,再加一個(gè)小的CBB104薄膜電容(剛開始薄膜電容用的105,換成104后波形好了點(diǎn),但還是不盡人意)。希望有大神能夠解惑,不勝感激!
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@juntion
這是推挽左右導(dǎo)通與關(guān)斷兩者速度不夠快,把死區(qū)再加大一些些就不見了....
這不是推挽電路,是boost電路,只有一個(gè)開關(guān)管,第二個(gè)波形是mos管的漏-源電壓,所以不存在死區(qū)問題。。。還有mos管開通時(shí)本來就有米勒平臺(tái),肯定沒關(guān)斷時(shí)速度快的吧。但米勒平臺(tái)也只能影響到Vds的下降速度,跟這個(gè)振蕩無關(guān)吧?感覺振蕩更像是二極管反向恢復(fù)導(dǎo)致的,但這二極管是80多塊大洋買的sic的呀,而且只買了一個(gè)也不好替換,搞不懂搞不懂。。。
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@nuaa_yzl
電感是用NPF磁粉芯材料的磁環(huán)繞制,因磁粉芯不導(dǎo)電,所以繞線與磁芯間的電容可以忽略;繞線是用的0.1*600股的利茲線,繞線之間的電容應(yīng)該也不會(huì)太大;退一步來講,就算是電感寄生電容的影響,那為什么只在開關(guān)導(dǎo)通瞬間有振蕩,關(guān)斷瞬間就小了很多呢?希望版主能詳細(xì)講解下,萬分感謝~[圖片]另外上傳電感電流波形圖(綠色部分)
可能還有布線等其它因素的影響,先換個(gè)電感看下有沒有區(qū)別。測試方法方面,一般要求限制20M帶寬,去掉地線夾,在輸出電容兩端來測。
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