這是LT1431芯片的典型接法,方框里面是芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu),這個芯片是怎么工作的,感覺和TL431不太一樣,補償接在COLL和COMP之間
LT1431及其典型電路的工作原理
這是解決TL431精度隨電流變化的問題而改進的......
431做大缺點就是: 從Cathode 流入電流越小, 則Vref 越往下偏, 所以即使在SPEC標示1%或0.5%, 但是條件還是以 Iak為主
補償時, OP推動內(nèi)部電晶體, C 極反饋, C與B倒相180度, 從C回饋到OP"+" 就等於負回授, 此時OP增益會被控制.....
TL1431因為分開電晶體 Csthode , 那麼補償時OP增益沒有透過補償, 若發(fā)生低頻震盪, 那麼補償方式可以改為
R+C 從Comp 接腳下到GND-F接腳, 不要接到Coll.......
這你會仿真, 你就仿真看看.....
去掉雙極 E, 保留接地E
模擬電流: 當?shù)谝活wNPN_Ib緩慢上升, Ib 兩個分量, 一個往電阻接地, 一個往第二顆NPN_Ib
所以Ic 緩慢跨越線性區(qū)直到飽和, 所以呈現(xiàn)拋物線, 因為第一顆NPN_Ie被電阻分走了, 所以實際第二顆NPN_Vbe = Ie * R
所以Pin1電流要從Ie*R>NPN2_Vbe算起, 且呈現(xiàn)拋物線
當雙極E接入Ib 後, 只要在Ie*R>NPN2_Vbe, 那麼原Ie會等於 Ie+Ie2, 那麼NPN2_Ic 很快拉上來且Vset會被箝位住....
所以說了半天, 那叫加速.....
這你會仿真, 你就仿真看看.....
去掉雙極 E, 保留接地E
模擬電流: 當?shù)谝活wNPN_Ib緩慢上升, Ib 兩個分量, 一個往電阻接地, 一個往第二顆NPN_Ib
所以Ic 緩慢跨越線性區(qū)直到飽和, 所以呈現(xiàn)拋物線, 因為第一顆NPN_Ie被電阻分走了, 所以實際第二顆NPN_Vbe = Ie * R
所以Pin1電流要從Ie*R>NPN2_Vbe算起, 且呈現(xiàn)拋物線
當雙極E接入Ib 後, 只要在Ie*R>NPN2_Vbe, 那麼原Ie會等於 Ie+Ie2, 那麼NPN2_Ic 很快拉上來且Vset會被箝位住....
所以說了半天, 那叫加速.....
1、TL431的補償方式能夠理解,那這個LT1431芯片呢?我最終的目的是希望得到這一部分的傳遞函數(shù),如果按你說的OP的增益就是它的跨導(dǎo)?然后再乘以補償環(huán)節(jié)的傳遞函數(shù)?這分為兩部分考慮?
2、關(guān)于低頻增益,如果光耦三極管那一側(cè)串聯(lián)的電阻過大,電流沒有按傳輸比傳輸,是否會造成低頻振蕩?我按你說的改了補償位置還是有低頻振蕩的。