這現象是MOSFET_G - S被擊穿所致, 可以藉由開蓋分析Die 狀況得到答案..
你電路使用上的盲點是" 電感串聯於S端, 所以電路 VGS 存在 △VL+Vcontrol
其中△VL 與輸出電流有關, 可以試著將MOSFET往後移, 電感連接於"D" 不要連接於"S"
1.R77和輸出共模電感的對地隔離作用,
2.在驅動開與關切換之間,MOSFET處于了浮地的狀態(tài),此時MOSFET耐壓大幅度降低,MOSFET擊穿.
改善. 1.因為MOSFET可移動位置困難,可以試在MOSFET的GS間并聯一個12V 穩(wěn)壓管和5.1K放電電阻.看能改善到什么狀態(tài).