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【親測(cè)ROHM評(píng)估板 】羅姆碳化硅功率管評(píng)估板開(kāi)箱簡(jiǎn)介

感謝電源網(wǎng)給的這次機(jī)會(huì)，收到了羅姆碳化硅功率管評(píng)估板，先放幾張開(kāi)箱圖，藍(lán)色的小袋子里放了

2個(gè)SCT3060AL，650V 39A的Nch SiC功率MOSFET。

2個(gè)SCT3040KL，1200V 55A的Nch SiC功率MOSFET。

2個(gè)SCT3030AL，650V 70A的Nch SiC功率MOSFET。

2個(gè)SCT3080KL，1200V 31A的Nch SiC功率MOSFET。

WeChat Image_20190729090130

板子正面

WeChat Image_20190729090225

板子背面

WeChat Image_20190729090228

全部回復(fù)(7)
正序查看
倒序查看
Harry雨
LV.1
2
2019-08-14 22:24

功能方框圖

再來(lái)看下科銳（CREE）公司的半橋評(píng)估板CRD 8FF1217P-1，

頂視圖

底視圖

功能方框圖

電路圖

可以明顯看出，CREE公司的評(píng)估板比較粗糙，只有單純的驅(qū)動(dòng)，沒(méi)有任何保護(hù)功能，也沒(méi)有任何指示燈，下表為兩個(gè)板子的參數(shù)對(duì)比。

       接下來(lái)對(duì)比一下驅(qū)動(dòng)芯片和驅(qū)動(dòng)芯片供電電源。先說(shuō)驅(qū)動(dòng)芯片，CREE公司用的ACPL-W346（Avago公司的sic mosfet專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)芯片），3A的rail-to-rail輸出，光耦隔離，絕緣電壓1140V延遲時(shí)間120nS；Rohm公司用的驅(qū)動(dòng)芯片是自己家的BM6101FV，最高可達(dá)4.5A輸出，絕緣電壓2500V，延遲時(shí)間350nS。在驅(qū)動(dòng)電源方面，CREE公司用的是G1212S，通過(guò)調(diào)節(jié)阻容網(wǎng)絡(luò)，可輸出25V電壓，之后用齊納管截取5V電壓作為負(fù)壓驅(qū)動(dòng)。Rohm公司為了電壓可調(diào)和隔離用了三個(gè)芯片依次鏈接，分別是BD7F200EFJ-LBE2，EE2225 04398-T256和S-19700A00A-E8，具體的還沒(méi)有深究。歡迎大家指正和補(bǔ)充，后續(xù)會(huì)做一些對(duì)比測(cè)試，如果大家有什么想看到的測(cè)試結(jié)果，可以留言，我根據(jù)實(shí)驗(yàn)室條件盡量做。       先說(shuō)一下CREE公司的部分防護(hù)電路，控制信號(hào)進(jìn)驅(qū)動(dòng)芯片前加了一個(gè)choke，有效抑制EMI，在柵源兩端加了兩個(gè)齊納管，分別為5V和24V，以保護(hù)柵源電壓不超過(guò)額定值。驅(qū)動(dòng)的低電平電壓-5V也由齊納管ZD6提供。在上管柵極前加了一個(gè)磁珠，降低EMI，但是這個(gè)應(yīng)該會(huì)影響驅(qū)動(dòng)芯片的驅(qū)動(dòng)能力或者說(shuō)會(huì)降低開(kāi)關(guān)速度。

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2019-08-15 13:45
真的假的
0
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Harry雨
LV.1
4
2019-08-15 20:04
@歐陽(yáng)2019
真的假的
板子跟資料肯定都是真的，看法呢是自己的理解，歡迎探討，一起學(xué)習(xí)
0
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Harry雨
LV.1
5
2019-08-29 18:32

之前是因?yàn)闆](méi)安裝MOS管，導(dǎo)致板子一直在報(bào)故障信號(hào)，還好有天邊請(qǐng)J版大神指導(dǎo)，測(cè)試得以繼續(xù)，在此表示多謝。

今天測(cè)了一組驅(qū)動(dòng)的性能，Rohm評(píng)估版驅(qū)動(dòng)信號(hào)延遲1us左右，下圖綠色的是dsp發(fā)出的信號(hào)（時(shí)鐘信號(hào)），紫色的為驅(qū)動(dòng)信號(hào)。

驅(qū)動(dòng)沿上升時(shí)間46ns，下降時(shí)間42ns

接下來(lái)看一下Cree公司評(píng)估版采用的ACPL-W346芯片的表現(xiàn)

延遲時(shí)間74ns，非常短，但是驅(qū)動(dòng)沿上升時(shí)間較長(zhǎng)，下降時(shí)間也較長(zhǎng)，似乎驅(qū)動(dòng)能力不足，并且該芯片僅有5個(gè)管腳，沒(méi)有任何保護(hù)功能。

還有一個(gè)問(wèn)題就是在高頻下抖動(dòng)比較嚴(yán)重，如下圖所示。

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Harry雨
LV.1
6
2019-09-07 16:58

下面是一些雙脈沖的測(cè)試，由于實(shí)驗(yàn)室條件受限，只能測(cè)低壓下的測(cè)試，并且電流探頭帶寬不夠，所以就沒(méi)加電流波形。

先放c2m00820d的測(cè)試

在第二個(gè)脈沖下關(guān)斷尖峰較高，嘗試在DS兩端加了100p的電容，基本沒(méi)有效果，也許大一點(diǎn)會(huì)有，還沒(méi)來(lái)得及試

下面是SCT3080KE的測(cè)試，上升下降時(shí)間均小于30ns

下面是生涯電路的測(cè)試，借用說(shuō)明書(shū)的圖

由于沒(méi)找到大功率電阻，僅測(cè)試了空載條件下的升壓電路，由100V升至400V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)很穩(wěn)定，輸出電壓也非常穩(wěn)定

測(cè)試暫告一段落，有機(jī)會(huì)會(huì)借其他實(shí)驗(yàn)室的設(shè)備進(jìn)行進(jìn)一步的測(cè)試并更新此帖。

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Harry雨
LV.1
7
2019-09-08 21:14
@Harry雨
下面是一些雙脈沖的測(cè)試，由于實(shí)驗(yàn)室條件受限，只能測(cè)低壓下的測(cè)試，并且電流探頭帶寬不夠，所以就沒(méi)加電流波形。先放c2m00820d的測(cè)試[圖片][圖片][圖片]在第二個(gè)脈沖下關(guān)斷尖峰較高，嘗試在DS兩端加了100p的電容，基本沒(méi)有效果，也許大一點(diǎn)會(huì)有，還沒(méi)來(lái)得及試下面是SCT3080KE的測(cè)試，上升下降時(shí)間均小于30ns[圖片][圖片][圖片]下面是生涯電路的測(cè)試，借用說(shuō)明書(shū)的圖[圖片][圖片]由于沒(méi)找到大功率電阻，僅測(cè)試了空載條件下的升壓電路，由100V升至400V，驅(qū)動(dòng)信號(hào)很穩(wěn)定，輸出電壓也非常穩(wěn)定[圖片]測(cè)試暫告一段落，有機(jī)會(huì)會(huì)借其他實(shí)驗(yàn)室的設(shè)備進(jìn)行進(jìn)一步的測(cè)試并更新此帖。

測(cè)試小結(jié)：

1.Rohm的板子防護(hù)較多，適合設(shè)計(jì)安全級(jí)別較高的工程師使用，輸出驅(qū)動(dòng)信號(hào)較為穩(wěn)定

2.Cree的板子電路比較簡(jiǎn)單，適合初學(xué)者理解電路原理使用，并且相對(duì)便宜一點(diǎn)

3.Rohm管子的耐壓耐流能力都很高

2
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2024-01-10 23:11

請(qǐng)問(wèn)關(guān)斷震蕩有改善了？后續(xù)

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