Harry雨：
尊敬的主辦方您好： 本人是在校研究生一枚，有幸看到這則消息，想要申請貴公司的評估版，申請理由如下：1.本人大論文課題是sicmosfet模型的研究，現(xiàn)在正在進(jìn)行雙脈沖實驗，以后打算做一個基于sicmosfet的PFC電路，故想申請貴公司的評估板。2.本人手里有幾顆cree公司的c3m0065090d,還有幾顆貴公司的sct2080ke,打算做一些這兩個產(chǎn)品的對比性實驗。3.本人在恩智浦半導(dǎo)體實習(xí)，有幸了解到IGBT驅(qū)動的芯片以及外圍電路，想要研究一下IGBT的驅(qū)動和mosfet的驅(qū)動的差異主要體現(xiàn)在哪些方面，以及有多大。 使用計劃：1.做雙脈沖實驗，對比兩種產(chǎn)品的差異，以及動態(tài)特性的差異，還有柵極電阻在不同電路下的影響程度。2.用IGBT的驅(qū)動電路驅(qū)動sicmosfet，與貴公司的驅(qū)動電路進(jìn)行對比，看優(yōu)勢有多大。3.測試基于sicmosfet的電源相關(guān)參數(shù)，如效率，功率因數(shù)，過流，紋波等。