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tny276設(shè)計的5V電源

TNY276芯片屬于PI的Tnyswitch的產(chǎn)品，功能強大，性能指標也高，其集成了700 V的功率MOSFET、振蕩器、高壓開關(guān)電流源等電路功能，采用開/關(guān)控制方式靈活的設(shè)計方案，實現(xiàn)低成本的高效率的應用。芯片的頻率抖動技術(shù)降低了EMI濾波成本，同時提高了電源效率。芯片的引腳布局簡化了PCB板上的散熱鋪銅的設(shè)計。

利用TNY276設(shè)計的5W電源，電源輸入電壓85~265Vac，輸出電壓5V，最大電流500mA,電源工作頻率132kHz，變壓器成本低，體積也小。

276
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2020-07-08 18:23
在265 VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗<150 mW； 有偏置繞組時空載能耗<50 mW。
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2020-07-08 18:23
@塵埃中的一粒沙
在265VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗
作為外部限流點設(shè)定，根據(jù)所使用電容的數(shù)值選擇電 流限流值。使用數(shù)值為0.1 μF的電容會工作在標準的 電流限流值上。
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2020-07-08 18:25
@塵埃中的一粒沙
作為外部限流點設(shè)定，根據(jù)所使用電容的數(shù)值選擇電流限流值。使用數(shù)值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。
振蕩器電路可導入少量的頻率抖動，通常為8 kHz峰峰值 用來降低EMI。
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gxg1122
LV.10
5
2020-07-09 12:42
@塵埃中的一粒沙
作為外部限流點設(shè)定，根據(jù)所使用電容的數(shù)值選擇電流限流值。使用數(shù)值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。
TNY279設(shè)計電源時可根據(jù)BP/M引腳的不同電容值可實現(xiàn)TinySwitch系列的電流限制選擇功能。
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gxg1122
LV.10
6
2020-07-09 12:43
@塵埃中的一粒沙
作為外部限流點設(shè)定，根據(jù)所使用電容的數(shù)值選擇電流限流值。使用數(shù)值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。
使用10μF BP/ M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。
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k6666
LV.9
7
2020-07-09 12:46
當連續(xù)不需要更高功率時，它允許在設(shè)計中使用具有更高電流限制的更小器件.
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k6666
LV.9
8
2020-07-09 12:46
@塵埃中的一粒沙
振蕩器電路可導入少量的頻率抖動，通常為8kHz峰峰值用來降低EMI。
頻率抖動的調(diào)制速率設(shè)置在1 kHz的水平，目的是降低平均及準峰值的EMI.
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svs101
LV.8
9
2020-07-09 12:58
@k6666
頻率抖動的調(diào)制速率設(shè)置在1kHz的水平，目的是降低平均及準峰值的EMI.
TNY276芯片的頻率抖動范圍是有限的，主要是改善EMI的指標。
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svs101
LV.8
10
2020-07-09 12:59
@gxg1122
使用10μFBP/M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。
一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF 的選擇。
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svs101
LV.8
11
2020-07-09 13:00
@塵埃中的一粒沙
在265VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗
采用偏置繞組待機功耗做的好的可以到30mW,高效低成本。
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2020-07-14 12:44
@svs101
TNY276芯片的頻率抖動范圍是有限的，主要是改善EMI的指標。
雖然頻率抖動范圍有限，但整體EMI改善很多，降低了電源設(shè)計成本。
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k6666
LV.9
13
2020-07-24 21:00
@塵埃中的一粒沙
在265VAC輸入時，無偏置繞組下的空載能耗
TNY276提供了一個靈活的設(shè)計方案，適合更低的系統(tǒng)成本.
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k6666
LV.9
14
2020-07-24 21:01
@塵埃中的一粒沙
雖然頻率抖動范圍有限，但整體EMI改善很多，降低了電源設(shè)計成本。
設(shè)計的時候無需環(huán)路補償，通過BP/M引腳電容值選擇不同的電流限流點.
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k6666
LV.9
15
2020-07-24 21:02
@k6666
設(shè)計的時候無需環(huán)路補償，通過BP/M引腳電容值選擇不同的電流限流點.
電源的設(shè)計電流限流點可以通過外接的電容選取。
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k6666
LV.9
16
2020-07-24 21:03
@svs101
一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF的選擇。
一般選擇0.1uF的電容進行
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謝厚林
LV.12
17
2020-12-14 14:24
TNY276P有沒有P2P替代的芯片
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baaps815
LV.1
18
2020-12-18 09:56
@謝厚林
TNY276P有沒有P2P替代的芯片

我司提供TNY276PN  PIN TO  PIN替換芯片，歡迎各位大佬選用。

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fengxbj
LV.8
19
2020-12-27 19:40
@k6666
頻率抖動的調(diào)制速率設(shè)置在1kHz的水平，目的是降低平均及準峰值的EMI.
芯片的頻率抖動技術(shù)可以有效降低電源的濾波成本，并且EMI性能也很好。 
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fengxbj
LV.8
20
2020-12-27 19:41
@svs101
一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF的選擇。
這個外接的電容容值按手冊推薦就行。
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謝厚林
LV.12
21
2021-01-27 08:53
@k6666
電源的設(shè)計電流限流點可以通過外接的電容選取。
啟動時，偵測BP電容放電時間來確定
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謝厚林
LV.12
22
2021-08-27 17:05
@baaps815
我司提供TNY276PN PINTO PIN替換芯片，歡迎各位大佬選用。

是不是晶豐的BPA8616P??

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dy-eXBSZjY1
LV.1
23
2021-09-01 15:42
@謝厚林
是不是晶豐的BPA8616P??

赫步電子直接替代 TNY276系列 

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2021-09-05 16:28

反激電源最大的一個缺點就是峰值電流太大，而且占空比小了直接還影響到了初級線圈的匝數(shù)，間接的影響了變換器的功耗和溫升。

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trllgh
LV.9
25
2021-09-05 16:30
@大海的兒子
反激電源最大的一個缺點就是峰值電流太大，而且占空比小了直接還影響到了初級線圈的匝數(shù)，間接的影響了變換器的功耗和溫升。

電源很多都這樣，都是在假定條件下進行試驗然后根據(jù)實際的工作情況進行改進，就是一個試驗然后完善的。

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謝厚林
LV.12
26
2021-09-13 17:42

設(shè)計時要防止芯片鎖死

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2021-09-18 18:01
@gxg1122
使用10μFBP/M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。

單片隔離式智能集成芯片為核心設(shè)計，可提高封閉式適配器/充電器設(shè)計的效率。

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黑夜公爵
LV.10
28
2022-06-07 20:38
@塵埃中的一粒沙
作為外部限流點設(shè)定，根據(jù)所使用電容的數(shù)值選擇電流限流值。使用數(shù)值為0.1μF的電容會工作在標準的電流限流值上。

如果選擇使用可熔電阻，則電阻要選擇阻燃類型的，并根據(jù)輸入差模雷擊測試要求選取繞線類型的電阻

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黑夜公爵
LV.10
29
2022-06-07 20:40
@gxg1122
使用10μFBP/M引腳電容，則電流限制會增加，高于標稱值，允許的情況下需要更高功率的應用的功率容量。

對于使用一個Y電容及一個單電感或帶有磁珠的電感的設(shè)計，應將電感放置在Y電容連接點的另一側(cè)

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黑夜公爵
LV.10
30
2022-06-07 20:42
@svs101
一般標準的電流限流電容容值是0.1uF，有1uF,10UF的選擇。

半波整流的設(shè)計中在功率返回端增加另外一個二極管可以改善EMI抗干擾性能

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黑夜公爵
LV.10
31
2022-06-07 20:44
@塵埃中的一粒沙
雖然頻率抖動范圍有限，但整體EMI改善很多，降低了電源設(shè)計成本。

如果采用全波整流，二極管應力會箝位至輸入電容的電壓，從而可避免二極管故障

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