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氮化鎵高低損耗與高頻率的材料特性使其在電力電子領(lǐng)域具備應(yīng)用優(yōu)勢(shì)，尤其是在消費(fèi)電子充電器、電源適配器等領(lǐng)域。

InnoSwitch3次級(jí)控制器包括磁耦合至初級(jí)側(cè)的發(fā)射器電路、恒壓(CV)及恒流(CC)控制電路、同步整流管MOSFET驅(qū)動(dòng)器等。

如果母線電壓達(dá)到800V，內(nèi)部MOSFET的750V的耐壓顯然無(wú)法滿足要求。

碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的3倍，與銅相似，功率損耗產(chǎn)生的熱量可以以較小的溫度變化從碳化硅中傳導(dǎo)出去。

該產(chǎn)品具有高性能和高可靠性，適用于鐵路等領(lǐng)域的應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括高集成度、低功耗和靈活的配置選項(xiàng)。

InnoSwitch3-Pro系列芯片內(nèi)置SenseFET無(wú)損檢測(cè)電路，相比傳統(tǒng)分立器件的原邊檢測(cè)能夠降低損耗，提升效率。

該芯片具有自動(dòng)重啟、自動(dòng)調(diào)整開關(guān)周期導(dǎo)通時(shí)間及頻率抖動(dòng)等功能。

LYTSwitch-6具備650V、725V跟750V開關(guān)功率元件，可根據(jù)需要來(lái)選擇。

TinySwitch-4采用開關(guān)控制方式，提供一個(gè)靈活的設(shè)計(jì)方案，并且實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本及更大的輸出功率范圍。

TinySwitch-III所具有的峰值處理特性使電源變壓器可以根據(jù)連續(xù)功率負(fù)載而不是峰值功率進(jìn)行設(shè)計(jì)，這樣可以進(jìn)一步減小變壓器磁芯的尺寸。