LLC拓樸中諧振電容容量由47nF受高溫鼓包變值為6PF,一通電即燒上下MOS管,三極都擊穿
當(dāng)功率降低,以及LLC電壓超過目標(biāo)調(diào)節(jié)電壓(12V或是19.5V時(shí)),光耦上的電流會(huì)增長,同時(shí)SNSFB電壓降低,如上圖所示。諧振變換器會(huì)按照內(nèi)部的頻率控制曲線升高頻率。因?yàn)轭l率越高,輸出的功率也降低,輸出電壓也降低。如果輸出電壓變得很低很低,控制會(huì)降低系統(tǒng)工作頻率,增加系統(tǒng)輸出功率。通過這種方式,系統(tǒng)會(huì)將輸出功率調(diào)節(jié)到需求的大小。
上式中為LLC拓樸兩個(gè)諧振頻率,F(xiàn)R1為重載時(shí)因負(fù)載的反射作用Lm短路未能與諧振,故諧振頻率要高,F(xiàn)R2空載時(shí)諧振頻率,勵(lì)磁電感Lm參與諧振,故諧振頻率會(huì)低。與PWM不同原理,當(dāng)UO(P())↑→光耦1,2ILED↑→光耦3,4腳ICE↑→IC VFB↓→PWM IC內(nèi)占空比D↓→開關(guān)MOS管導(dǎo)通時(shí)間會(huì)變短,變壓器初級(jí)儲(chǔ)能會(huì)變小,變壓器耦后反饋次級(jí)電壓會(huì)降低,→UO(P())↓從而達(dá)到穩(wěn)壓的目的。而LLC PFM原理不能理解:當(dāng)UO(P())↑→光耦1,2ILED↑→光耦3,4腳ICE↑→IC VFB↓→fSW↑芯片內(nèi)諧振變換器會(huì)按照內(nèi)部的頻率控制曲線升高開關(guān)頻率fSW→UO(P())↓(此步理解不了,因PFM開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間不變tON , fSW上升則T反而是下降,T=1/ f,又因?yàn)門=tON+tOff ,開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)間不變,周期下降則開關(guān)截止時(shí)間也變短,按理論應(yīng)該是輸出電壓會(huì)上升才對(duì),怎么會(huì)下降呢。
我的理解是,當(dāng)工作頻率低于第一諧振頻率開始,勵(lì)磁電感就是逐步參加諧振,而當(dāng)勵(lì)磁電感全部參加諧振時(shí),就意味著要達(dá)到第二諧振頻率,進(jìn)入容性區(qū)了。
從電流波形上來講,開關(guān)導(dǎo)通時(shí)間多出的那一部分電流變緩就是因?yàn)槭苤朴趧?lì)磁電感感量。