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  • MOS降低發(fā)熱功耗 除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以減小，不過(guò)好像會(huì)影響同步的開(kāi)關(guān)速度。不同步開(kāi)關(guān)的話MOS可能就燒了

MOS降低發(fā)熱功耗 除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以減小，不過(guò)好像會(huì)影響同步的開(kāi)關(guān)速度。不同步開(kāi)關(guān)的話MOS可能就燒了

MOS降低發(fā)熱功耗  除了并聯(lián) 還有其他的方法不？電流是不能變的。并聯(lián)雖然內(nèi)阻可以減小，不過(guò)好像會(huì)影響同步的開(kāi)關(guān)速度。不同步開(kāi)關(guān)的話MOS可能就燒了MOS降低功耗
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stephon
LV.1
2
2020-11-23 18:31
有個(gè)問(wèn)題啊，在高壓輸入準(zhǔn)諧振中，是導(dǎo)通損耗大還是開(kāi)關(guān)損耗大？
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2020-11-24 10:29
@stephon
有個(gè)問(wèn)題啊，在高壓輸入準(zhǔn)諧振中，是導(dǎo)通損耗大還是開(kāi)關(guān)損耗大？

你分析下  

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msz181818
LV.9
4
2020-11-24 12:01
@stephon
有個(gè)問(wèn)題啊，在高壓輸入準(zhǔn)諧振中，是導(dǎo)通損耗大還是開(kāi)關(guān)損耗大？
開(kāi)關(guān)損耗大小是與管芯的節(jié)電容大小及開(kāi)關(guān)頻率有關(guān)的
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stephon
LV.1
5
2020-11-24 19:17
@QWE4562009
你分析下 
個(gè)人認(rèn)為在高壓輸入中，開(kāi)關(guān)損耗等于MOSFET的輸出電容Coss存儲(chǔ)的能量，看到的高壓MOS這個(gè)電容都比較小在百納法以內(nèi)，那導(dǎo)通損耗都是電流有效值平方乘導(dǎo)通電阻。且高壓MOS的導(dǎo)通電阻都比較大。那一般是導(dǎo)通損耗大于開(kāi)關(guān)損耗，那這樣的話準(zhǔn)諧振的效率在高壓輸入中應(yīng)該不會(huì)太高吧？
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2020-11-25 18:30
@stephon
個(gè)人認(rèn)為在高壓輸入中，開(kāi)關(guān)損耗等于MOSFET的輸出電容Coss存儲(chǔ)的能量，看到的高壓MOS這個(gè)電容都比較小在百納法以內(nèi)，那導(dǎo)通損耗都是電流有效值平方乘導(dǎo)通電阻。且高壓MOS的導(dǎo)通電阻都比較大。那一般是導(dǎo)通損耗大于開(kāi)關(guān)損耗，那這樣的話準(zhǔn)諧振的效率在高壓輸入中應(yīng)該不會(huì)太高吧？

有具體的計(jì)算步驟嗎  

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